| 350—1200eV电子对氩的散射全截面测量 |
| |
| 引用本文： | 邢士林.350—1200eV电子对氩的散射全截面测量[J].科学通报,1992,37(5):405-405. |
| |
| 作者姓名： | 邢士林 |
| |
| 作者单位： | 中国科学技术大学近代物理系，中国科学技术大学近代物理系，中国科学技术大学近代物理系，中国科学技术大学近代物理系，中国科学技术大学近代物理系，中国科学技术大学近代物理系，中国科学技术大学近代物理系，中国科学技术大学近代物理系 合肥 230026，合肥 230026，合肥 230026，合肥 230026，合肥 230026，合肥 230026，合肥 230026，合肥 230026 |
| |
| 摘 要： | 一、引言 电子对原子、分子散射全截面的知识对于检验各种电磁相互作用是很重要的;全截面的数据对于天体物理、等离子物理和化学物理等学科的发展也有很大意义。对氩的电子散射全截面结果对于气体探测器和激光的研究也十分有用。对于原子、分子的电子散时全截面研究始于1921年Ramsauer的工作。在大多数的早期实验中,采用Ramsauer技术,电子能量
|
| 关 键 词： | 散射 全截面 直线透射技术 氩 电子 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《科学通报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《科学通报》下载免费的PDF全文 |
|
