纳米多孔InP对氨气的气敏特性研究 |
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作者姓名: | 申惠娟 陈春彩 陈源福 |
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作者单位: | 闽南理工学院基础部; |
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基金项目: | 福建省中青年教师教育科研项目(JB13252) |
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摘 要: | InP是继Si和GaAs之后的新一代电子功能材料,利用多孔半导体制成微型化和集成度较高的气敏传感器也一直是研究的热点,但对多孔InP的气敏特性研究甚少.本文拟通过电化学刻蚀方法制备纳米多孔InP,并观察其对氨气的伏安特性响应,从而分析该材料的气敏特性.
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关 键 词: | 纳米多孔InP 气敏特性 氨气 |
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