| 偏压磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO:Al透明导电膜 |
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| 引用本文： | 杨田林,高绪团,韩盛浩.偏压磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO:Al透明导电膜[J].曲阜师范大学学报,2002,28(4). |
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| 作者姓名： | 杨田林 高绪团 韩盛浩 |
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| 作者单位： | 杨田林,高绪团(山东理工大学物理系,255049,山东省淄博市);韩盛浩(山东大学物理与微电子学院,25010,山东省济南市)
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| 摘 要： | 用射频偏压磁控溅射法,在水冷透明聚脂胶片上制备出了附着力强的ZnO:Al(Aluminium dopedZinc Oxide,AZO)透明导电膜,膜的最小电阻率为1.11×10-3Ωcm,薄膜的透过率高于85%.薄膜为多晶纤锌矿结构,垂直于衬底的C轴具有002]方向的择优取向.重点探讨了薄膜的结构、光电性质与衬底所加负偏压的关系。
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| 关 键 词： | 光电性质 AZO薄膜 偏压溅射 |
ZnO:AI FILMS DEPOSITED ON WATER-COOLED FLEXIBLE SUBSTRATES BY BIAS RF MAGNETRON SPUTTERING |
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