| 三元合金异质结InxGa1-xAs/InxAl1-xAs的价带带阶ΔEv值研究 |
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| 引用本文： | 郑金成,郑永梅,王仁智.三元合金异质结InxGa1-xAs/InxAl1-xAs的价带带阶ΔEv值研究[J].科学通报,1996,41(23):2136-2138. |
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| 作者姓名： | 郑金成 郑永梅 王仁智 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系!厦门361005 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，福建省自然科学基金，厦门光电子公司工业部资助项目 |
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| 摘 要： | 三元合金异质结是异质结器件的重要材料,它广泛应用于微波和光电器件中。如组分x=0.3的合金异质结可用于研制高电子迁移率晶体管(HEMTs)、绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)和谐振隧道二极管(RTDs);组分x=0.53的三元合金异质结广泛应用于光电子的高速光电器件中。在决定量子阱、超晶格电子态的因素中,半导体异质结界面两侧价带带阶△E_v值(即valence-band offsets)是重要的物
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| 关 键 词： | 异质结 价带带阶 平均键能 三元合金 半导体 |
| 收稿时间： | 1996-04-16 |
| 修稿时间： | 1996-07-18 |
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