| 低压ZnO压敏陶瓷晶粒边界电子陷阱态的研究 |
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| 引用本文： | 章天金,顾豪爽,王玮.低压ZnO压敏陶瓷晶粒边界电子陷阱态的研究[J].湖北大学学报(自然科学版),2002,24(2):136-140,144. |
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| 作者姓名： | 章天金 顾豪爽 王玮 |
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| 作者单位： | 湖北大学物理学与电子技术学院，湖北武汉430062 |
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| 基金项目： | 武汉市晨光科技计划项目 |
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| 摘 要： | 应用HP4192A低频阻抗分析仪测量了低压ZnO压陶陶瓷的复电容曲线，研究了烧结温度对复电容曲线压低角的影响规律，探讨了晶粒边界耗习层中电子陷阱的种类和起因，并对电子陷阱的特征参数进行了表征。实验发现：在低压ZnO压敏陶瓷中存在两种非理想的Deblye驰豫现象，对于每一种驰豫，其复电容曲线存在压低现象，且其压低角随着烧结温度的升高而迅速减小，在低压ZnO压敏陶瓷的耗尽层区域内存在两种电子陷阱，它们分别位于导带底0．209eV和0．342eV处，其中0．209eV处的陷阱能级对尖于本征施主Znj^x的二次电离，而0．342eV处的陷阱能级对应于氧空位V0的一次电离。
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| 关 键 词： | 低压 ZnO压敏陶瓷 晶粒边界 电子 陷阱态 |
| 文章编号： | 1000-2375(2002)02-0136-05 |
Investigation of trapping states in the grain boundary[1]of low breakdown voltage ZnO ceramics varistors |
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| Zhang Tianjin,Gu Haoshuang,Wang Wei.Investigation of trapping states in the grain boundary[1]of low breakdown voltage ZnO ceramics varistors[J].Journal of Hubei University(Natural Science Edition),2002,24(2):136-140,144. |
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| Authors: | Zhang Tianjin Gu Haoshuang Wang Wei |
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| Keywords: | low voltage ZnO varistors grain boundary trapping states the complex capacitance |
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