| N~-N~+结的累积层效应 |
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| 引用本文： | 孙崇德. N~-N~+结的累积层效应[J]. 暨南大学学报(自然科学与医学版), 1991, 0(1) |
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| 作者姓名： | 孙崇德 |
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| 作者单位： | 暨南大学电子工程系 |
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| 摘 要： | 集成注入逻辑器件中的控制机理是N~-N~+构成的累积层,这种累积层尚未得到适当的分析。本文的主要目的是导出N~-N~+结的J—V特性,并对N~-N~+结的累积层效应作了详细地分析。分析表明累积层效应与实验结果一致,当累积层的复合时间,τ_(s c)→0时,少子分布从注入极平面开始线性地减小,τ_(s c)→∞时,少子分布是均匀的,在有限的τ_(s c)和高偏置电平下,N~-N~+结的电流随N 中性区宽度W的增大而增大。
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| 关 键 词： | 抑制因子 :累积层效应 注入效率 泊松方程 外延层 |
THE EFFECT OF THE ACCUMULATION LAYER AT THE N~-N~+ JUNCTION |
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| Sun Chongde. THE EFFECT OF THE ACCUMULATION LAYER AT THE N~-N~+ JUNCTION[J]. Journal of Jinan University(Natural Science & Medicine Edition), 1991, 0(1) |
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| Authors: | Sun Chongde |
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| Affiliation: | Dept of Electronie Engineering |
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| Keywords: | Suppression factor Effect of the accumulation layer Injection efficiency Poisson's equation Epitaxial layer |
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