| 采用SF6＋O2反应离子刻蚀聚酰亚胺膜 |
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| 引用本文： | 孙承龙,杜根娣,等.采用SF6＋O2反应离子刻蚀聚酰亚胺膜[J].应用科学学报,1993,11(1):31-36. |
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| 作者姓名： | 孙承龙 杜根娣 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院上海冶金研究所；中国科学院传感技术联合开 [2]中国科学院上海冶金研究所；中 |
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| 摘 要： | 报道了在O2或SF6＋O2混合气体中反应离子刻蚀聚酰亚胺的基本原理，使用牛津等离子科技公司的Plasmalab up型刻蚀仪，对厚度O-4um的聚酰亚胺膜，进行各向异性的刻蚀，获得了侧墙陡直的微细图形。
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| 关 键 词： | 聚酰亚胺 半导体工艺 侵蚀 薄膜 |
REACTIVE ION ETCHING OF POLYIMIDE FILM USING SF_6 +O_2 |
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| SUN CHENG-LONG Du GENDI Guo FANGMIN CHEN SIQIN LIN SUIJUAN HU SUYING.REACTIVE ION ETCHING OF POLYIMIDE FILM USING SF_6 +O_2[J].Journal of Applied Sciences,1993,11(1):31-36. |
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| Authors: | SUN CHENG-LONG Du GENDI Guo FANGMIN CHEN SIQIN LIN SUIJUAN HU SUYING |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | reactive ion etching polyimide sidewall |
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