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退火温度对Li掺杂ZnO薄膜光电特性的影响
引用本文:李建昌,李永宽,姜永辉,巴德纯.退火温度对Li掺杂ZnO薄膜光电特性的影响[J].东北大学学报(自然科学版),2012,33(8):1174-1178.
作者姓名:李建昌  李永宽  姜永辉  巴德纯
作者单位:东北大学机械工程与自动化学院
基金项目:教育部高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20100042120023);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(N110403001)
摘    要:采用溶胶凝胶法旋涂制备了摩尔分数为3%的Li掺杂ZnO薄膜,在450~650℃下退火后测试其微结构、表面形貌和光电特性.结果表明薄膜为六方纤锌矿多晶结构且n型导电,退火温度的升高改善了结晶度、表面形貌、透过率和导电性.退火温度超过550℃后电阻率增大,样品由肖特基导电转变为欧姆导电;伏安特性模拟结果表明,替位Li逐渐增多、薄膜功函数增大,有利于制备p型薄膜.退火温度达600℃后,由于薄膜再蒸发等使光电特性变差.550℃是最佳退火温度,适于制备高质量的透明导电薄膜,此时薄膜透过率达95%,薄膜电阻率为2.49×103Ω.cm.

关 键 词:溶胶凝胶法  ZnO薄膜  Li掺杂  退火温度  光电特性  
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