| ZnO薄膜的粉靶溅射沉积 |
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| 引用本文： | 刘天柱,Kiyotaka Wawa,张淑仪,水修基,陈培狄,宋凤麒,王广厚. ZnO薄膜的粉靶溅射沉积[J]. 南京大学学报(自然科学版), 2003, 39(4): 532-539 |
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| 作者姓名： | 刘天柱 Kiyotaka Wawa 张淑仪 水修基 陈培狄 宋凤麒 王广厚 |
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| 作者单位： | 南京大学声学研究所近代声学国家重点实验室，南京大学声学研究所近代声学国家重点实验室，南京大学声学研究所近代声学国家重点实验室，南京大学声学研究所近代声学国家重点实验室，南京电子器件研究所，南京大学物理系固体微结构国家重点实验室，南京大学物理系固体微结构国家重点实验室 南京，210093，南京，210093 Faculty of Science，Yokihama City University，Yokihama236-0027，Japan，南京，210093，南京，210093，南京，210016，南京，210093，南京，210093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(19974018) |
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| 摘 要： | 氧化锌是一种重要的压电与光电材料,用粉靶代替常规的固体陶瓷靶溅射沉积ZnO薄膜,对基底的加热温度、溅射气压和氧气的混合比率等沉积条件对氧化锌薄膜特性的影响进行了研究,主要对沉积在玻璃基片上的ZnO薄膜进行了X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)以及台阶仪的测量和分析比较,用粉靶溅射的ZnO薄膜具有很好的C轴长相和很窄的衍射峰半宽(0.2°～0.27°)。因为ZnO膜在C轴方向有很强的压电性,从而也说明了用粉靶溅射的ZnO薄膜具有很好的压电特性。分析和测量结果显示用粉靶溅射ZnO薄膜的最佳条件是:(1)基片加热温度为300～400℃。(2)氧气的混合含量为0.5～0.8.(3)溅射气压为1～2 Pa。得出了利用粉靶溅射制备的ZnO薄膜与用陶瓷靶制备同样具有很好的性能。
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| 关 键 词： | 氧化锌薄膜 ZnO薄膜 粉靶溅射沉积 加热温度 溅射气压 压电性 半导体 制备方法 |
The Deposition of ZnO by Using Powder Target |
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| Kiyotaka Wawa. The Deposition of ZnO by Using Powder Target[J]. Journal of Nanjing University: Nat Sci Ed, 2003, 39(4): 532-539 |
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| Authors: | Kiyotaka Wawa |
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| Keywords: | ZnO powder target thin film sputter |
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