| Si-SiO_2薄膜结构与光致发光的研究 |
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| 引用本文： | 梁昌振,吴雪梅,欧阳义芳,诸葛兰剑.Si-SiO_2薄膜结构与光致发光的研究[J].苏州大学学报(医学版),2004(1). |
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| 作者姓名： | 梁昌振 吴雪梅 欧阳义芳 诸葛兰剑 |
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| 作者单位： | 广西大学物理科学与技术学院，苏州大学物理科学与技术学院，广西大学物理科学与技术学院，苏州大学物理科学与技术学院 广西南宁 530000苏州大学物理科学与技术学院江苏苏州 215006，江苏苏州 215006，广西南宁 530000，江苏苏州 215006 |
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| 基金项目： | 江苏省高校自然科学基金资助项目(03KJD140116) |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Si SiO2薄膜,并在各种温度下进行了退火处理.XRD分析表明Si SiO2薄膜为非晶结构,XPS分析表明样品主要是以SiO1.90的形式存在,它是富硅或者缺氧的结构.在室温下观察到了可见光致发光(PL)现象,探测到样品的峰位分别在370nm、410nm、470nm和510nm.结合激发谱对相应的激发与发光中心进行了讨论.另外,还研究了退火温度对其峰位与峰强的影响.
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| 关 键 词： | SiSiO2薄膜 结构 光致发光 退火 |
Micro-structure and photoluminescence of Si-SiO_2 films |
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| LIANG Chang-zhen.Micro-structure and photoluminescence of Si-SiO_2 films[J].Journal of Suzhou University(Natural Science),2004(1). |
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| Authors: | LIANG Chang-zhen |
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| Institution: | LIANG Chang-zhen~ |
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| Abstract: | The Si-SiO_2 films are prepared by RF co-sputtering technique.The structure of the films studied using TEM and XRD is amorphous. The majority content of the sample is SiO_(1.90) by the aid of XPS. The photoluminescence(PL) spectra are found at room temperature,which have PL peaks at 370nm,410nm,470nm and 510nm,respectively.The position and strength of the peak are affected by the annealed temperature and that seems to be to related to kinds and density of defects. |
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| Keywords: | Si-SiO_2 film structure photoluminescence annealing |
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