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| SiC表面高温改性法生成石墨烯研究 | |
| 引用本文： | 吴华,王利杰,孙希鹏,黄森鹏,孙信华,陆东梅.SiC表面高温改性法生成石墨烯研究[J].科技咨询导报,2012(2):8-9. |
| 作者姓名： | 吴华 王利杰 孙希鹏 黄森鹏 孙信华 陆东梅 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220 |
| 摘 要： | 石墨烯是具有优异电学性能的碳质新材料。本文采用氩气气氛下的SiC表面高温改性法制备石墨烯。通过AFM发现表面形貌较真空法有了较大提高,同时还观察到样品表面分布着大量的网状凸起。通过拉曼检测发现得到了3层的少层石墨烯,且I（D）/I（G）≈0.04。最后总结出该工艺生长石墨烯的一些规律。 |
| 关 键 词： | SiC 石墨烯 拉曼光谱 AFM |
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