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高TCR薄膜温度传感器的研究
引用本文:凌志远,周洪仁,刘秀蓉.高TCR薄膜温度传感器的研究[J].华南理工大学学报(自然科学版),1993(3).
作者姓名:凌志远  周洪仁  刘秀蓉
作者单位:华南理工大学无机材料系,成都电子科技大学15系,成都电子科技大学15系
摘    要:本文作者利用镍金属的优良特性,通过特定的工艺处理和控制,研制出了性能价格比高的薄膜温度传感器,其使用温区为-50~250℃;TCR 可达5900(10~(-6) /℃);线性度为±2. 13%;响应时间≤0. 2秒;电阻值为100~150Ω并可调整。

关 键 词:  薄膜  热处理  厚度  线性/薄膜温度传感器

AN INVESTIGATION OF HIGH TCR THIN FILM TEMPERATURE SENSOR
Ling Zhiyuan Zhou Hongren Liu Xiurong.AN INVESTIGATION OF HIGH TCR THIN FILM TEMPERATURE SENSOR[J].Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition),1993(3).
Authors:Ling Zhiyuan Zhou Hongren Liu Xiurong
Abstract:
Keywords:Nickel  thin films  heat treatment  thickness  linear/thin film temperature sensor
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