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三重态激子在不同荧光染料掺杂体系中的湮灭过程
引用本文:阚敏,陈平,曹绍谦,刘文利,宋群梁,熊祖洪. 三重态激子在不同荧光染料掺杂体系中的湮灭过程[J]. 科学通报, 2010, 55(14): 1358-1364
作者姓名:阚敏  陈平  曹绍谦  刘文利  宋群梁  熊祖洪
作者单位:西南大学物理科学与技术学院, 教育部发光与实时分析重点实验室, 重庆 400715
基金项目:霍英东教育基金(101006)、国家自然科学基金(10974157, 10974159)和中央高校基本科研业务费专项资金(XDJK2009A001, XDJK2009B011)资助项目
摘    要:室温下,在红色荧光染料掺杂的有机发光器件ITO/N,N′-bis(naphthalen-1-y)-N,N′-bis(phenyl)benzidine(NPB)/tris(8-hydroxyquinolato) aluminum (Alq3):4-dicyanomethylene-2-methyl-6-p-dimethylaminostyryl-4H-pyran(DCM)/Alq3/LiF/Al中,观察到发光随外磁场的变化(即磁致发光)表现为刚开始的快速增加,在~50mT处达到最大后,随着磁场的进一步增加,又呈现出减弱的特点(即高场效应);而且,器件的掺杂浓度越高、所加偏压越大,该高场减弱就越明显.但在另一类绿色荧光染料5,12-dihydro-5,12-dimethylquino[2,3-b]acridine-7,14-dione(DMQA)的掺杂器件中,磁致发光的高场部分则是在~50mT后增加变缓并逐渐趋于饱和.分析结果表明,Frster能量转移过程占主导发射的DMQA掺杂器件,不利于染料分子上三重态激子的形成,从而,通过三重态激子对(triplet pairs)湮灭产生单重态激子(triplet-triplet annihilation,TTA)的过程不易发生;但在载流子陷阱效应参与发射的DCM掺杂器件中,室温下在染料分子上就可以形成寿命较长的三重态激子,增加了发生TTA过程的几率.因此,基于掺杂器件中两种不同的发射机制,外加磁场对有机发光中三重态激子对(T…T)的演化表现出了不同的调控作用.

关 键 词:染料掺杂   高场效应    rster能量转移   载流子陷阱   三重态激子湮灭
收稿时间:2009-10-12

Triplet-triplet annihilation process in organic light-emitting diodes doped with fluorescent dyes
KAN Min,CHEN Ping,CAO ShaoQian,LIU WenLi,SONG QunLiang , XIONG ZuHong. Triplet-triplet annihilation process in organic light-emitting diodes doped with fluorescent dyes[J]. Chinese Science Bulletin, 2010, 55(14): 1358-1364
Authors:KAN Min  CHEN Ping  CAO ShaoQian  LIU WenLi  SONG QunLiang & XIONG ZuHong
Affiliation:KAN Min, CHEN Ping, CAO ShaoQian, LIU WenLi, SONG QunLiang & XIONG ZuHong
Abstract:At room temperature, the magnetic field dependent electroluminescence (EL) was investigated in red fluorescent dye doped organic light-emitting diodes (OLEDs) of ITO/N,N′-bis(naphthalen-1-y)-N,N′-bis(phenyl) benzidine (NPB)/ tris(8-hydroxyquinolato) aluminum (Alq3):4-dicyanomethylene-2-methyl-6-p-dimethylaminostyryl-4H-pyran (DCM)/ Alq3/LiF/Al. It is observed that the applied magnetic field induces a sharp increase of EL in low field regime (B≤50 mT) and then a remarkable decrease at higher fields (50 mT
Keywords:dye doping   high-fields effect    rster energy transfer   charge carrier trapping   triplet-triplet annihilation
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