| 离子束改性对颗粒膜巨磁电阻效应的影响 |
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| 引用本文： | 李健,胡社军,温伟祥,黄拿灿. 离子束改性对颗粒膜巨磁电阻效应的影响[J]. 重庆师范大学学报(自然科学版), 2002, 19(2): 45-49 |
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| 作者姓名： | 李健 胡社军 温伟祥 黄拿灿 |
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| 作者单位： | 广东工业大学材料与能源学院,广州,510643 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，教育部高校骨干教师资助计划，59771026，，， |
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| 摘 要： | 用射频磁控溅射方法在Si/SiO2衬底上制备了(NiFeCo)36Ag64颗粒膜.用四探针法测量了注入Co离子前后(NiFeCo)36Ag64颗粒膜巨磁电阻效应的变化.用场发射扫描电镜分析了颗粒膜的形貌及成分.实验结果表明:注入Co离子对颗粒膜巨磁电阻有显著的影响,在相同退火温度下,注入离子可使GMR效应提高一倍以上.随着退火温度增加,颗粒膜巨磁电阻效应先增加而后减小,在360℃下退火可获得10.2%的最大室温巨磁电阻效应.
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| 关 键 词： | NiFeCo/Ag颗粒膜 离子注入 巨磁电阻效应 |
| 文章编号： | 1001-8905(2002)02-0045-05 |
| 修稿时间： | 2001-09-18 |
The Effect of Ion Implantation on the Giant Magnetoresistance of Granular Film |
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