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| La2Cu1-xLixO4+δ体系低频内耗研究 | |
| 作者姓名： | 陈志军 ，杨春利，吴修胜，刘卫 |
| 作者单位： | （1.中国科学技术大学 中国科学院能源转换材料重点实验室，合肥 230026；2.安徽省绩溪中学，安徽 宣城 245300） |
| 摘 要： | 采用强迫振动方法对La2Cu1-xLixO4+δ(0.02≤x≤0.15)系列氧化物超导体的母体化合物的低频内耗和模量进行了研究.结果表明，当x=0.02,0.05时，La2Cu1-xLixO4+δ在250 K附近存在一个弛豫型内耗峰P1，为共价氧对形式的额外氧跳跃弛豫运动的结果；当x=0.10,0.15时，La2Cu1-xLixO4+δ除了存在内耗峰P1外，在200 K附近还出现了内耗峰P2；La2Cu1-xLixO4+δ在高温区域的模量反常现象反映了体系的正交与四方结构转变，其相变温度随Li的掺杂量的增加而向低温区域移动. |
| 关 键 词： | 氧化物超导体 无损检测 额外氧 内耗 相变 |
| 收稿时间： | 2009-05-10 |
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