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Ni金属诱导多晶硅薄膜的低温制备与性能研究
引用本文:刘传珍,杨伯梁,李牧菊,吴渊,张玉,廖燕平,王大海,黄锡珉,邱法斌. Ni金属诱导多晶硅薄膜的低温制备与性能研究[J]. 吉林大学学报(理学版), 2000, 0(3)
作者姓名:刘传珍  杨伯梁  李牧菊  吴渊  张玉  廖燕平  王大海  黄锡珉  邱法斌
作者单位:1. 中国科学院长春物理研究所,长春,130021
2. 吉林大学电子工程系,长春,130023
基金项目:吉林省“九五”重大项目! (批准号 :K Y95 1-Al-5 0 2 ),中国科学院“九五”科技公关项目 !(批准号 :970 10 3 -0 1),中国科学院院长
摘    要:利用 Ni金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法制备 p- Si薄膜 .XRD,Raman光谱研究结果表明 ,a- Si/ Ni经 440℃ 2 h以上退火处理后 ,形成多晶相结构 .用 SEM,XPS等分析手段对薄膜的结构进行分析 ,并对金属 Ni诱导晶化的机理进行简要的探讨

关 键 词:Ni金属诱导晶化  多晶硅薄膜  低温制备  退火处理

The Preparation and Properties of Ni-MIC Poly-crystalline Si Films at Low Temperatures
LIU Chuan-zhen,YANG Bai-liang,LI Mu-ju,WU Yuan,ZHANG Yu,LIAO Yang-ping,WANG Da-hai,HUANG Xi-min,QIU Fa-bin. The Preparation and Properties of Ni-MIC Poly-crystalline Si Films at Low Temperatures[J]. Journal of Jilin University: Sci Ed, 2000, 0(3)
Authors:LIU Chuan-zhen  YANG Bai-liang  LI Mu-ju  WU Yuan  ZHANG Yu  LIAO Yang-ping  WANG Da-hai  HUANG Xi-min  QIU Fa-bin
Abstract:
Keywords:metal induced crystallization  poly|crystalline Si films  preparation at low temperatures  annealing treatment
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