| Ag在Si表面吸附的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 张苗,侯贤华,王基蕴,赵灵智,胡社军,汝强.Ag在Si表面吸附的第一性原理研究[J].华南师范大学学报(自然科学版),2014,46(5):49-53. |
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| 作者姓名： | 张苗 侯贤华 王基蕴 赵灵智 胡社军 汝强 |
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| 作者单位： | 1.1．华南师范大学物理与电信工程学院,广东省量子调控工程与材料重点实验室,广州510006; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(51201066，51171065，51101062，11204090)；广东省自然科学基金项目( S2012020010937， S2011010001758)；2012年华南师范大学青年教师科研培育基金项目；广东高校优秀青年创新人才培育项目(2012LYM_0048)；广州市科技计划项目(11C52090779)；广州市珠江科技新星专项 |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法计算优化了Ag原子在硅惯习面Si(111)和Si（220）晶面的最佳吸附位置，并计算了Ag/Si(111)和Ag/Si(220)体系的表面吸附能和表面态电子结构．研究表明:Si基表面Ag原子的最稳定吸附居于Si(220)晶面的穴位，此时的吸附能最低，其值为5.2569eV，属于强化学吸附；同时由于在Ag/Si(220)体系中，Ag-4d轨道和表面态Si-3s、3p轨道电子的强相互作用，以及Ag-4p轨道的电子云强偏向于Si-3s、3p轨道使得体系的能隙宽度变窄，导电性急剧增大．
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| 关 键 词： | 表面吸附 Ag/Si(111) Ag/Si(220) 第一性原理 |
First Principles Study of Ag Adsorption on Si Surfaces |
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| Zhang Miao,Hou Xianhua,Wang Jiyun,Zhao Lingzhi,Hu Shejun,Ru Qiang.First Principles Study of Ag Adsorption on Si Surfaces[J].Journal of South China Normal University(Natural Science Edition),2014,46(5):49-53. |
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| Authors: | Zhang Miao Hou Xianhua Wang Jiyun Zhao Lingzhi Hu Shejun Ru Qiang |
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| Institution: | Zhang Miao;Hou Xianhua;Wang Jiyun;Zhao Lingzhi;Hu Shejun;Ru Qiang;Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials,School of Physics and Telecommunication Engineering,South China Normal University;Institute of Physics and Telecommunication Engineering,South China Normal University; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | surfaces adsorption Ag/Si(111) Ag/Si(220) first principles |
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