| SiO_2/SiO界面能级位移光电子能谱的研究 |
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| 引用本文： | 陈立春.SiO_2/SiO界面能级位移光电子能谱的研究[J].科学通报,1995,40(2):120-120. |
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| 作者姓名： | 陈立春 |
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| 作者单位： | 天津理工学院材料物理研究所 天津300191
(陈立春，邓振波，徐叙瑢)，中国科学技术大学表面分析开放实验室 合肥230026(刘先明) |
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| 基金项目： | 中国科学技术大学表面分析开放实验室，国家自然科学基金，天津市21世纪青年科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 我们在薄膜电致发光(TFEL)器件中使用予热层、加速层及发光层分层优化的方案,予热层除提供电子外,SiO_2/SiO界面的能级位移将决定薄膜场致发光器件中予热能否奏效.尽管半导体界面能级位移的研究已相当成熟,对于较好的研究体系,界面能级位移的研究结果误差不超过0.2～0.3eV,但像SiO_2/SiO界面能级位移的研究很少,因为SiO_2,SiO是非晶,它们的组分又比较复杂,SiO_2和SiO之间界面的偶极矩难以确定,因而利用计算方法确定这种
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| 关 键 词： | 光电子能谱 界面 二氧化硅 一氧化硅 能级位移 |
| 收稿时间： | 1993-11-06 |
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