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| 金刚石薄膜／立方氮化硼异质结的制备 | |
| 作者姓名： | 杨洁 王成新 |
| 作者单位： | [1]长春86003部队实验室 [2]吉林大学原子与分子物理研究所超硬材料国家重点实验室 |
| 摘 要： | 利用高温高压合成的立方氮化硼单晶材料,采用恒浓度高温扩散方法制备ｎ型立方氮化硼半导体材料。通过化学气相沉积方法在ｎ型立方氮化硼上外延生长ｐ型金刚石薄膜。在基础上,通过欧姆接触电极的制作,制备出金刚石薄膜／立方氮化硼异质ｐｎ结,并给出ｐｎ结的伏安特性曲线。 |
| 关 键 词： | 金刚石薄膜 立方氮化硼 伏安特性 异质结 制备 |
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