|
|||||
|
|
| MOSFET二维数值分析程序——TDAM | |
| 引用本文： | 戎蒙恬,阮刚.MOSFET二维数值分析程序——TDAM[J].复旦学报(自然科学版),1985(4). |
| 作者姓名： | 戎蒙恬 阮刚 |
| 作者单位： | 复旦大学 八三届硕士研究生 上海交通大学教师 |
| 摘 要： | 集成电路的发展要求不断缩小MOSFET的尺寸.用解析方法描述小尺寸器件有较大的局限性.为精确描述小尺寸器件,人们不得不求助于较复杂的数值方法. 本文提出一种适用于小型计算机的短沟MOSFET二维数值分析程序——TDAM.在处理基本方程时,对流函数作了简化,使运算收敛速度加快.在描述杂质分布时,结合解析和数值方法实现了二维模拟.TDAM同SUPREM-2联用,能从器件的工艺和几何参数出发预测物理特性和电特性.TDAM除能给出MOSFET的端子直流特性,还可提供二维载流子分布、电势分布、电流密度分布等用测量手段得不到的信息. 以下依次叙述物理模型、数学处理、程序概述、计算结果及讨论和结束语等. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |