| 掺Ni的AlN薄膜稀磁半导体的制备及磁性研究 |
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| 引用本文： | 钟伟明,秦杰,熊娟,顾豪爽.掺Ni的AlN薄膜稀磁半导体的制备及磁性研究[J].湖北大学学报(自然科学版),2012,34(4):461-463. |
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| 作者姓名： | 钟伟明 秦杰 熊娟 顾豪爽 |
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| 作者单位： | 湖北大学物理学与电子技术学院,湖北武汉,430062 |
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| 基金项目： | 湖北省自然科学基金项目，武汉市科技供需对接计划项目 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射的方法制备掺Ni的AlN薄膜Al1-xNixN(x=0.021、0.047、0.064、0.082),薄膜样品沿AlN(100)晶向生长.利用振动样品磁强计研究其磁性能,发现样品在室温下均具有铁磁性,随Ni掺杂量的增加,饱和磁矩先减小后增大,最大矫顽力达104Oe.结合X线光电子能谱分析,推断掺杂Ni原子进入AlN晶格取代了Al的位置,样品的铁磁性可以用Ni与相邻N原子之间的p-d杂化机制来解释.
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| 关 键 词： | Ni掺杂AlN 稀磁半导体 射频磁控溅射 室温铁磁性 |
Preparation and magnetic characteristics analysis of Ni-doped AlN film diluted magnetic semiconductors |
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| ZHONG Weiming
,
QIN Jie
,
XIONG Juan
,
GU Haoshuang.Preparation and magnetic characteristics analysis of Ni-doped AlN film diluted magnetic semiconductors[J].Journal of Hubei University(Natural Science Edition),2012,34(4):461-463. |
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| Authors: | ZHONG Weiming QIN Jie XIONG Juan GU Haoshuang |
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