| 多孔硅吸附性能的量子化学研究 |
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| 引用本文： | 胡小华,施琼玲,魏锡文,黎学明.多孔硅吸附性能的量子化学研究[J].湖北大学学报(自然科学版),2012,34(4):473-477. |
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| 作者姓名： | 胡小华 施琼玲 魏锡文 黎学明 |
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| 作者单位： | 重庆大学化学化工学院,重庆,400044 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国工程物理研究院联合基金项目，中央高校基本科研业务费 |
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| 摘 要： | 用量子化学方法中的密度泛函理论,在B3LYP/6-31G(d)水平上,采用模型化学方法和Gaussion03程序,计算由不同数目硅原子组成的一维量子线模型和二维网状模型分别吸附氢原子、氧原子、氧分子、硝酸根和高氯酸根的模型进行计算,考察各模型吸附前后的电子状态、能隙、原子电荷、键强等因素,计算结果表明:在吸附有不同原子、分子的多孔硅表面上,表面硅原子与内层硅原子间的化学键均被削弱,对于解释多孔硅的发光和爆炸性质有一定的理论指导意义.
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| 关 键 词： | 多孔硅 吸附性能 量子化学 DFT |
Adsorption property of porous silicon by quantum chemistry research |
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| HU Xiaohua
,
SHI Qiongling
,
WEI Xiwen
,
LI Xueming.Adsorption property of porous silicon by quantum chemistry research[J].Journal of Hubei University(Natural Science Edition),2012,34(4):473-477. |
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| Authors: | HU Xiaohua SHI Qiongling WEI Xiwen LI Xueming |
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