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低噪声CMOS电荷灵敏前置放大器
引用本文:邓智,康克军,程建平,刘以农.低噪声CMOS电荷灵敏前置放大器[J].清华大学学报(自然科学版),2005,45(12):1643-1645.
作者姓名:邓智  康克军  程建平  刘以农
作者单位:清华大学,工程物理系,北京,100084;清华大学,工程物理系,北京,100084;清华大学,工程物理系,北京,100084;清华大学,工程物理系,北京,100084
基金项目:国家自然科学基金重点资助项目(10135040)
摘    要:为了满足辐射探测器的读出密度要求,完成了低噪声CM O S专用集成电荷灵敏前置放大器的设计和测试。采用0.6μm CM O S工艺,电路面积为260μm×210μm,功耗为15.9mW,比传统的电荷灵敏前放的电路密度至少提高了3个数量级。测量得到的噪声结果为:在成形时间为1μs时,零电容噪声为1 377.1 e,电容噪声斜率为43.7 e/pF。噪声的实测结果和理论分析比较吻合,间接测量了使用工艺NM O S的1/f噪声系数,为低噪声设计提供了参考依据。

关 键 词:核电子学  电荷灵敏前置放大器  CMOS专用集成电路
文章编号:1000-0054(2005)12-1643-03
修稿时间:2005年3月14日

Low-noise CMOS charge-sensitive preamplifier
DENG Zhi,KANG Kejun,CHENG Jianping,LIU Yinong.Low-noise CMOS charge-sensitive preamplifier[J].Journal of Tsinghua University(Science and Technology),2005,45(12):1643-1645.
Authors:DENG Zhi  KANG Kejun  CHENG Jianping  LIU Yinong
Abstract:
Keywords:nuclear electronics  charge sensitive preamplifier  CMOS application specific integrated circuits
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