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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
不同温度下n-InP吸收系数测定及能带结构的讨论
作者姓名:
高中林
汪开源
李远进
作者单位:
南京工学院电子工程系 讲师(高中林,汪开源),南京工学院电子工程系 教师(李远进)
摘 要:
本文从基本吸收限到2μm范围内,在不同温度下、测定了掺Sn的n-InP单晶的吸收系数。从吸收谱着手,研究了主吸收边、中心导带底及相邻导带谷能量差ΔE对温度的依赖关系,以及温度变化时,能带结构的变化趋势。
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