| 单晶Tm2O3薄膜的制备与F-N隧穿机制 |
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| 引用本文： | 杨百良,杨晓峰,刘士彦.单晶Tm2O3薄膜的制备与F-N隧穿机制[J].河北师范大学学报(自然科学版),2013(2):149-152. |
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| 作者姓名： | 杨百良 杨晓峰 刘士彦 |
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| 作者单位： | 绍兴文理学院物理与电子信息系 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60806031,11004130);浙江省自然科学基金(Y6100596),浙江省自然科学基金(Y4090148) |
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| 摘 要： | 采用分子束外延方法结合原位退火生长技术在Si(001)衬底上制备了Tm2O3薄膜,XRD测量结果表明所制备样品为单晶Tm2O3.在低温环境下,采用MOS电容结构对薄膜进行I-V测试,研究了样品的F-N隧穿特性,得出Pt/Tm2O3和Al/Tm2O3的势垒高度分别为2.95,1.8eV.从能带的角度表明Tm2O3是一种高K栅介质候选材料.
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| 关 键 词： | 分子束外延 单晶Tm2O3 F-N隧穿特性 高K栅介质材料 |
Fabrication of Single Crystalline Tm2O-3 Thin Films and Its F-N Tunneling Mechanism |
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| YANG Bailiang,YANG Xiaofeng,LIU Shiyan.Fabrication of Single Crystalline Tm2O-3 Thin Films and Its F-N Tunneling Mechanism[J].Journal of Hebei Normal University,2013(2):149-152. |
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| Authors: | YANG Bailiang YANG Xiaofeng LIU Shiyan |
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| Institution: | (Department of Physics and Electronic Information,Shaoxing University,Zhejiang Shaoxing 312000,China) |
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