| 一种采用全MOS器件补偿温度和沟调效应的电流控制振荡器 |
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| 引用本文： | 李凡阳,杨涛. 一种采用全MOS器件补偿温度和沟调效应的电流控制振荡器[J]. 福州大学学报(自然科学版), 2017, 45(3) |
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| 作者姓名： | 李凡阳 杨涛 |
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| 作者单位： | 福州大学,福州大学 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(青年基金）项目编号：61501122 |
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| 摘 要： | 本文提出一种全MOS器件补偿温度和沟调效应电流控制振荡器补偿方法，以减小医疗导联系统通信时钟恢复电路的振荡器的震荡频率偏移。与传统的振荡器相比，该振荡器采用全MOS器件设计温度和偏置电流补偿电路，在增强可靠性的情况下降低了温度和沟调效应引起的频率偏移。电路采用.35um标准MOS工艺设计，通过与传统的振荡器性能进行仿真比较，该方法的震荡频率的偏移量得到明显改善。
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| 关 键 词： | MOS器件；振荡器；温度；沟调效应 |
| 收稿时间： | 2016-06-20 |
| 修稿时间： | 2016-08-28 |
A Temperature and Channeling Effect-Minimized Current Controlled Ring Oscillator using all MOS Devices |
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| LI FANYANG and YANG TAO. A Temperature and Channeling Effect-Minimized Current Controlled Ring Oscillator using all MOS Devices[J]. Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition), 2017, 45(3) |
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| Authors: | LI FANYANG and YANG TAO |
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| Affiliation: | FUZHOU UNIVERSITY,FUZHOU UNIVERSITY |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOS devices ring oscillator temperature channeling effect |
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