CdSe单晶生长技术研究 |
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引用本文: | 张颖武.CdSe单晶生长技术研究[J].河南科技,2015(8). |
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作者姓名: | 张颖武 |
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作者单位: | 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220 |
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摘 要: | 硒化镉(CdSe)是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。目前有多种晶体生长技术可获得CdSe单晶材料。本文基于晶体生长理论分析了气相法、熔体法等CdSe单晶生长方法的物理机理,并结合CdSe材料的物理特性,综述了当前国内外CdSe单晶生长技术的研究进展。
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关 键 词: | CdSe 单晶 气相法 熔体法 |
Study on the Technology of Growing CdSe Single Crystal |
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Authors: | Zhang Yingwu |
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Abstract: | |
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Keywords: | CdSe single crystal gas phase method melt method |
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