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| PVT法生长大尺寸CdS单晶 | |
| 引用本文： | 张颖武. PVT法生长大尺寸CdS单晶[J]. 河南科技, 2015, 0(7) |
| 作者姓名： | 张颖武 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220 |
| 摘 要： | 硫化镉(Cd S)是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。以硫化镉(Cd S)晶片作为籽晶,采用有籽晶的物理气相传输(PVT)法生长出大尺寸Cd S单晶,并对其电学、光学等性能进行了表征。结果表明,PVT法是一种理想的大尺寸Cd S单晶生长方法。 |
| 关 键 词： | CdS 大尺寸 单晶 PVT法 |
Growing Bulk CdS Single Crystals by PVT Method |
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| Zhang Yingwu. Growing Bulk CdS Single Crystals by PVT Method[J]. , 2015, 0(7) | |
| Authors: | Zhang Yingwu |
| Abstract: | |
| Keywords: | CdS bulk single crystal PVT method |
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