基于分子源SrTiO_3薄膜同质外延生长的Monte Carlo模拟Ⅰ:生长机制、模型与算法 |
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引用本文: | 张青磊,朱基亮,谭浚哲,于光龙,吴家刚,朱建国,肖定全.基于分子源SrTiO_3薄膜同质外延生长的Monte Carlo模拟Ⅰ:生长机制、模型与算法[J].四川大学学报(自然科学版),2005(Z1). |
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作者姓名: | 张青磊 朱基亮 谭浚哲 于光龙 吴家刚 朱建国 肖定全 |
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作者单位: | 四川大学材料科学系 四川大学材料科学系 成都 |
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摘 要: | 提出了一种在极低的生长速率下(例如分子外延技术),以SrTi O3为代表的ABO3型氧化物薄膜的生长机理,并针对这一生长机制,给出了基于Monte Carlo方法的三维模型和模拟算法.模拟基于Solid on Solid模型,并采用周期性的边界条件;模拟中通过库仑作用势引入了基底对沉积分子的影响;Monte Carlo事件由沉积事件、扩散事件、吸附成核事件组成;分子扩散能力与扩散激活能相关.
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关 键 词: | Monte Carlo模拟 薄膜生长 分子源 SrTiO_3薄膜 氧化物 |
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