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10Gbit/s 0.18μm CMOS1:4分接集成电路
引用本文:沈桢,朱恩,赵文虎,王志功.10Gbit/s 0.18μm CMOS1:4分接集成电路[J].东南大学学报(自然科学版),2004,34(4):426-429.
作者姓名:沈桢  朱恩  赵文虎  王志功
作者单位:东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划)
摘    要:研究了万兆以太网接收芯片结构,并在此基础上设计、流片和测试了高速1∶4分接芯片,采用0.18 μm CMOS工艺设计的1∶4分接电路,实现了满足10GBASE-R的10.312 5 Gbit/s数据的1∶4串/并转换,芯片面积1 100 μm×800 μm,在输入单端摆幅为800 Mv,输出负载50 Ω条件下,输出2.578 Gbit/s数据信号电压峰峰值为228 Mv,抖动为 4 ps RMS, 眼图的占空比为55.9%,上升沿时间为58 ps.在电源为 1.8 V时, 功耗为 500 Mw.电路最高可实现13.5 Gbit/s的4路分接.

关 键 词:万兆以太网  高速分接芯片  CMOS工艺
文章编号:1001-0505(2004)04-0426-04
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