| 多元合金异质结In_xGa_(1-x)As/In_xAl_(1-x)As的价带偏移 |
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| 引用本文： | 郑金成,郑永梅,王仁智. 多元合金异质结In_xGa_(1-x)As/In_xAl_(1-x)As的价带偏移[J]. 厦门大学学报(自然科学版), 1997, 0(1) |
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| 作者姓名： | 郑金成 郑永梅 王仁智 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理学系 |
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| 基金项目： | 国家和福建省自然科学基金,厦门光电子公司工业部资助 |
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| 摘 要： | 采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带计算方法，研究三元合金ＩｎｌＧａ４－ｌＡｓ４和ＩｎｌＡｌ４－ｌＡｓ４（ｌ＝０，１，２，３，４等五个有序态）的能带结构和平均键能Ｅｍ；在此基础上，将原子集团展开与平均键能方法结合起来计算了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎｘＡｌ１－ｘＡｓ异质结的价带偏移ΔＥｖ（ｘ）值．研究表明：该异质结的ΔＥｖ（ｘ）值随合金组分ｘ的变化接近于线性；ΔＥｖ（ｘ）的理论计算值与实验结果相当符合．
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| 关 键 词： | 异质结，价带偏移，平均键能方法 |
Valence band Offset of Multicomponent Alloy type In x Ga 1- x As/In x Al 1- x As Heterojunction |
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| Zheng Jincheng Zheng Yongmei Wang Renzhi. Valence band Offset of Multicomponent Alloy type In x Ga 1- x As/In x Al 1- x As Heterojunction[J]. Journal of Xiamen University(Natural Science), 1997, 0(1) |
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| Authors: | Zheng Jincheng Zheng Yongmei Wang Renzhi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Heterojunction Valence band offset Average bond energy theory |
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