| 硫化温度和时间对Sn_xS_y薄膜结构和成分的影响 |
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| 引用本文： | 林建光,彭少朋,程树英.硫化温度和时间对Sn_xS_y薄膜结构和成分的影响[J].集美大学学报(自然科学版),2010,15(1):62-66. |
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| 作者姓名： | 林建光 彭少朋 程树英 |
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| 作者单位： | 福州大学物理与信息工程学院,福建,福州,350108 |
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| 基金项目： | 福建省科技厅重点项目(2008I0019);;福建省科技三项项目(2006F5062);;福州大学人才基金项目(XRC-0736) |
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| 摘 要： | 用热蒸发技术在玻璃基片上沉积一层Sn薄膜,在真空条件下,将其在150~300℃下硫化30~60 min.对在不同温度和时间下硫化的薄膜进行结构、成分和表面形貌分析,结果表明:在不同温度和不同时间下硫化,所得到的薄膜在物相结构、成分和表面形貌上都存在差异.当硫化温度为240℃、硫化时间为45 min时,所制得的薄膜为正交结构的SnS多晶薄膜,其均匀性、致密性以及对基片的附着力都较好,具有(111)方向优先生长,薄膜粒径在200~800 nm,且晶格常数与标样的数值吻合很好.
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| 关 键 词： | SnxSy 薄膜 硫化温度 硫化时间 |
Influence of Sulphurization Temperature and Time on Structure and Composition of SnxSy Thin Films |
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| LIN Jian-guang,PENG Shao-peng,CHENG Shu-ying.Influence of Sulphurization Temperature and Time on Structure and Composition of SnxSy Thin Films[J].the Editorial Board of Jimei University(Natural Science),2010,15(1):62-66. |
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| Authors: | LIN Jian-guang PENG Shao-peng CHENG Shu-ying |
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| Institution: | College of Physics and Information Engineering;Fuzhou University;Fuzhou 350108;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SnxSy films sulphurization temperature sulphurization time |
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