对称薄膜双栅MOSFET温度特性的研究

文章对薄膜双栅MOSFET器件的温度特性进行了研究。首先对其进行理论分析,得到亚阈值电流、阈值电压和饱和电流等随温度的变化关系,并计算出理论结果,再用Medici模拟仿真加以验证,比较了不同温度下的输出特性、饱和漏电流、阈值电压与温度变化的关系,验证结果表明两者是一致的。     

研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的一种新方法

提出了一种用于研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的新方法——摄动法.使用摄动法来求解泊松方程,使得在纳米尺寸MOSFETs工作中不再起作用的耗尽层近似和页面电荷模型在求解过程中被避免,由此可以解得一个指数形式的亚阈值电流的表达式,从而得到关于亚阈值摆幅变化的解析表达式.通过把所建立的解析模型的计算结果和Medici仿真软件的模拟结果进行比较,可以证明该适用于分析亚阈值区工作特性的模型具有相当的准确性和可用性.     

一种工作在亚阈值区的低功耗基准电压电路

提出了一种新型的低电压、低功耗、工作在亚阈值区的基准电压源.该电路用标准的0.18μmCMOS工艺设计,工作电压1V,总电流4μA,电路的温度系数为83×10-6K-1.     

工作在亚阈值区CMOS OTA的研究

本文报道了一种新颖的 CMOS运算跨导放大器 ( OTA) ,OTA的设计核心 MOSFET工作在亚阈值区 .当MOSFET工作在亚阈值区时 ,其漏电流小于 1 0 0 n A,所以 ,这种 OTA具有更小的功耗 ,这就肯定了亚阈值区效应在低功耗电路设计中的重要作用 .计算机模拟结果表明 ,在电源电压为± 3 V时 ,该 CMOS OTA的 -3 d B带宽可达 1 .8MHz,线性输入范围可达到 -2 .5～ 2 .5V,功耗 53～ 1 3 9μW,误差小于 1 .2 % .     

激光驱动的钠钾锑光电阴极的光电发射特性

报告了作为高亮度电子注入器的钠钾锑光电阴极在ＹＡＧ激光（λ＝１．０６μｍ，脉冲宽度为５０ｐｓ）作用下的亚阈值光电发射，其为２光子发射。研究了阴极的光电发射限制问题，从实验上证明在激光能量比较大极间电压比较低时，阴极受空间电荷限制。     

一种使用浮动电源线嵌入式超低功耗SRAM的设计

为了解决存储单元的亚阈值泄漏电流问题,分析了在深亚微米下静态随机存储器(SRAM)6-T存储单元静态功耗产生的原因,提出了一种可以有效减小SRAM静态功耗浮动电源线的结构,并分析在此结构下最小与最优的单元数据保持电压;最后设计出SRAM的一款适用于此结构的高速低功耗灵敏放大器电路.仿真测试表明,使用浮动结构的SRAM的静态功耗较正常结构SRAM的静态功耗大大减小.     

低功耗CMOS两级运算放大器的设计与分析

在IC电路设计中,功耗问题越来越受到重视。因此提出一种工作在亚阈值电压范围内的低功耗CMOS两级运放的设计方法,并对电路的参数和性能做深入分析是很必要的。对电路进行仿真的结果显示,与传统的工作在饱和区的放大器电路相比,工作在压阈值条件下的电路功耗明显降低。     

一种低电压、低功耗CMOS基准电压源的设计

本文设计了一种低电压、低功耗、高电源抑制比CMOS基准电压源。该电路基于工作在亚阈值区的MOS管,利用PTAT电流源与微功耗运算放大器构成负反馈系统以提高电源电压抑制比。SPICE仿真显示,在1V的电源电压下,输出基准电压为609mV,温度系数为72ppm/℃,静态工作电流仅为1.23μA。在1-5V的电源电压变化范围内,电压灵敏度为130μV/V,低频电源电压抑制比为74dB。该电路为全CMOS电路,不需要用到寄生PNP三极管,具有良好的CMOS工艺兼容性。     

磁场的生物学效应研究

用均匀交变磁场对小白鼠的自主活动及戊巴比妥钠阈下催眠影响进行了实验研究 .结果表明 ,所用磁场具有一定的镇静、催眠作用 .     

Novel high PSRR current reference based on subthreshold MOSFETs

This paper takes full advantages of the I-V transconductance characteristics of metal-oxide semiconductor field effect transistor （MOSFET） operating in the subthreshold region and the enhancement pre-regulator technique with the high gain negative feedback loop. The proposed reference circuit, designed with the SMIC 0.18 μm standard complementary metal-oxide semiconductor （CMOS） logic process technology, exhibits a stable current of about 1.701 μA with much low temperature coefficient （TC） of 2.5×10^-4μA/℃ in the temperature range of-40 to 150℃ at 1.5 V supply voltage, and also achieves a best PSRR over a broad frequency. The PSRR is about - 126 dB at DC frequency and remains -92 dB at the frequency higher 100 MHz. Moreover the proposed reference circuit operates stably at the supply voltage higher 1.2 V and has good process compatibility.