排序方式: 共有8条查询结果,搜索用时 171 毫秒
1
1.
2.
3.
4.
采用分子束外延(MBE)方法生长了GexSi1-x/Si应变超晶格.利用X射线双晶衍射、小角衍射和宽角衍射方法测量了超晶格样品的实验衍射曲线.运用X射线运动学理论和动力学理论,分析、模拟了样品的实验曲线,得到了精确的定量结构参数数据.并根据实验曲线中衍射峰的位置和分布情况对应变超晶格的生长质量做了评价. 相似文献
5.
采用内部求和空d轨道处理下的线性丸盒轨道方法,对以InAs为衬底和以GaAs为衬底以及InAs层和GaAs层自由形变三种不同的应变状态下的超晶格(InAs)n/(GaAs)n(00l),(n=1,2,3,4,5)的电子结构进行了全面的第一性原理计算,得出了其能带结构、带隙值及态密度分布,考察了各能隙随层厚的变化规律以及带隙的应变效应,所得结果与光致发光实验数据以及从头计算赝势方法对以GaAs为衬底的单层超晶格(InA)1/(GaAs)1的计算结果相一致. 相似文献
6.
本文探讨了LP-MOVPE法在GaAs和InP衬底上生长21个周期的InGaAs/GaAs和20个周期的InGaAs/InP两种应变超晶格的条件,并用X射线衍射分析了这两种应变超晶格,分析观察到三级卫星峰和六级卫星峰。 相似文献
7.
半导体应变超晶格及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了力学平衡模型和能量平衡模型,分析了半导体应变超晶格的临界厚度,及半导体超昌格在光电学中的应用。 相似文献
8.
建议用一种基于超晶格自洽超原胞计算的形变势方法来确定InAs/GaAs应变异质界面的能带排列情况。该方法全面考虑了界面电荷、弹性应变以及自旋-轨道耦合等因素对能带排列的影响。结果表明,InAs/GaAs异质界面的能带排列具有极端显著的应变效应,通过人工控制其平面内晶格常数(可由选择不同的衬底来实现),可使其成为Ⅰ型,Ⅱ型超晶格或金属。此应变效应主要来源于单轴应力及其与自旋-轨道分裂的耦合,而流体静压和界面电荷的作用则相对很小.本文对以GaAs为衬底情况下的计算结果与X射线光发射实验数据相一致。 相似文献
1