植入式硅神经微电极的发展

 神经科学和神经工程研究需要研究大脑神经元的电活动情况，以了解大脑产生、传输和处理信息的机制。植入式神经微电极作为一种传感器件，是时间分辨率最高的神经电活动传感手段之一。介绍了国内外几种主要的植入式硅基神经微电极的结构特点、制备方法和性能特点。分析表明，未来通过不断结构优化和改性修饰，特别是在高通量的神经记录方面，通过与同样基于硅材料的电路的集成，硅神经微电极能够进一步提高生物相容性，解决大规模的电极通道体内外传输与连接问题，实现对神经元的在体大规模长时间记录。     

温度和机械载荷联合作用下油田超深井中硬质涂层膨胀锥与套管的屈服挤毁压强及试验验证

在充分考虑温度载荷、机械载荷、硬质涂层膨胀锥硬度、套管硬度对膨胀锥与套管之间屈服挤毁压强影响的基础上,根据分形理论和接触力学推导出膨胀锥与套管之间屈服挤毁压强的计算公式.数值分析表明:膨胀锥与套管之间的屈服挤毁压强随最终温度、分形粗糙度、线膨胀系数、硬质涂层膨胀锥布氏硬度、中间主应力系数、套管壁厚的增大而增大;当分形维数从1增大时,膨胀锥与套管之间的屈服挤毁压强随分形维数的增大而减小;当分形维数增大到接近于2时,膨胀锥与套管之间的屈服挤毁压强随分形维数的增大而增大;随拉压强度比的增大,膨胀锥与套管之间的屈服挤毁压强减小.屈服挤毁压强的计算值与试验测试值之间的相对误差为-8.9253%～-0.9901%.     

YAG:Ce~(3+)的包膜及其改性

溶胶-凝胶法合成了YAG:Ce3+荧光粉,测定了合成荧光粉的激发和发射光谱,研究发现包膜对荧光粉热稳定性有影响。用氧化铝和氧化镧对荧光粉包膜,会降低荧光粉的发射强度,但可明显提高荧光粉的高温稳定性。     

GH220合金渗Al层的逐层相分析

通过物理—化学相分析及其它物理手段对经900℃不同时间时效的GH220合金的渗铝层进行了逐层相分析。用联立方程分别求出离表面不同深度范围内β—NiAl相γ′相的含量。通过修正比重,对取层厚度进行了合理计算。提供了渗铝层中相变趋势。本文把计算过程全部编成程序。对微处理机在相分析中的运用作了初步尝试。     

强直电流伸展弧CVD硬质合金金刚石涂层工具

采用自行研制的强电流直流扩展电弧设备对酸浸和渗硼预处理的YG6刀片进行了金刚石薄膜涂层沉积，并对放于不同位置的沉积刀片表面涂层的激光Raman谱和SEM形貌进行了分析、研究。结果表明：渗硼预处理工艺优于酸浸预处理工艺；在渗硼处理的GY6刀片上，沉积的金刚石薄膜涂层具有大面积、均匀性好和质量高的特点。     

奥氏体-贝氏体复相组织形态的研究

在60Si2MnA钢等温淬火工艺和性能研究的基础上,用MEF-3型金相显微镜和JEM-200CX型透射电子显微镜对等温转变产物的组织形态进行了观察研究。并用Rigku D/maxⅢB型X-射线衍射仪测定了样品的残余奥氏体体积分数。实验结果表明,奥氏体-贝氏体复相组织强韧性好的原因在于含有一定数量的残余奥氏体和变态贝氏体组织,且贝氏作为无碳化物贝氏体。     

半导体单晶硅的离子束蚀刻实验研究

离子束蚀刻是一种有超精细加工能力的微细加工技术,广泛应用于微电子、光子技术、表面科学等领域。硅及其化合物常用来制作大规模集成电路,在其表面蚀刻出具有一定几何布图尺寸的沟槽。其深度、宽度、边壁倾角及槽底形状等直接影响器件的性能。     

激光开槽、埋槽电极硅太阳电池

报道一种新颖的激光开槽、埋槽电极硅太阳电池的结构、工艺流程及其研制结果。在ＡＭ１．５，２５℃，１００ｍＷ／ｃｍ２的条件下，以面积为４５ｃｍ３的３６片硅片研制的硅太阳电池的输出参数的平均值为ＪＳＣ＝３６．１ｍＡ／ｃｍ２，Ｖ∞＝６３３ｍＶ，Ｆ．Ｆ．＝０．７９８，η＝１８．２３％，最后分析了种高性能硅太阳电池的设计特点。