气相色谱法分离和分析失水山梨醇

用气相色谱法分离和测定失水山梨醇各组分的相对含量.试样先用硅醚化试剂硅醚化,生成易挥发、低极性的三甲基硅醚衍生物,气相色谱分析使用柱内填充5%OV-17的101白色担体,氢火焰离子化检测器检测,检测温度260℃,汽化室温度270℃,柱温240℃,载气为氮气,氢气压力为0.05 Mpa,空气压力为0.1 Mpa.     

X射线衍射对离子束混合形成硅化物品粒度的研究

用X衍射测定了离子束混合所形成铂硅化物的衍射线宽,并计算出了其晶粒大小.发现混合时的注入剂量和后退火温度都会影响其晶粒大小.     

用快速白光辐照生成钨硅化物

报导了用快速白光辐照、通过薄膜反应在GaAs衬底上生成单一化学相的硅化物W_5Si_3,对样品的结构方式和硅供应量对钨硅化物生成相的影响进行了讨论。     

Mo3Si-Mo5Si3共晶硅化物的氧化

利用循环氧化和原位X射线衍射法，研究了Mo3Si-Mo5Si3共晶硅化物在600-1200℃氧化行为，分析了低温氧化规律和高温氧化瘟疫现象．结果表明，共晶硅化物的低温氧化并没有按照热力学优先顺序反应而是受到了动力学因素的控制，氧化曲线呈直线规律．在1000℃氧化并发生氧化瘟疫现象的试样中发现，孔洞和裂缝等缺陷处优先生成混合氧化物．这种混合氧化物的体积效应导致氧化瘟疫现象的发生．     

难熔金属及硅化物薄膜制备技术研究

本文对难熔金属及其硅化物的形成、特性进行了研究．主要对难熔金属Mo、难熔金属硅化物TiSi2、PtSi2等进行了探讨．采用溅射难熔金属、热硅化反应的手段，对解决VLSI工艺的某些问题，如：解决由于MOS电路图形尺寸缩小带来的概电阻增大的问题以及采用硅化物（如PtSi2）一阻挡层（W、MO、Ti等）一Al多层金属布线、解决欧姆接触和铝的电迁移问题起了极好的作用．     

多层溅射方法制备WSix／Si薄膜技术研究

采用多层溅射技术制备了不同成分的ＷＳｉｘ／Ｓｉ薄膜，然后利用真空退火形成硅化钨．对用此技术制备的难熔金属硅化物的结构特性、电学特性和氧化特性进行了系统的研究．结果表明这种技术具有以下特点：可以通过控制成分得到不同晶格结构的硅化物薄膜，可在硅衬底上形成浅接触，还可以防止金属钨的氧化．     

离子束溅射沉积角对Ni／Si膜界面特性影响的研究

用Ａｒ~＋离子束溅射高纯多晶Ｎｉ靶，在Ｓｉ（１００）基面上沉积１５０ｎｍ的Ｎｉ膜。经４００℃的真空退火１小时后，分别用ＸＲＤ和ＸＰＳ检验了两种大小不同角度上沉积试样的生成相及界面态。当沉积角≥６６°时，试样退火后仅出现Ｎｉ膜择优取向晶化，无硅化物生成。而在接近０°的小角度处沉积的试样，在相同条件退火后则出现以ＮｉＳｉ为主的三种硅化物混合相。     

单片集成微传感器中多层耐熔金属硅化物互连

在微传感器系统中,采用多层耐熔金属硅化物互连工艺,克服微传感器与IC芯片单片集成时,铝连线不能承受微传感器制造过程中要求的退火高温,而且此互连结构能在标准CMOS工艺线上加工,降低了制造成本.经流片验证,此互连结构具有台阶覆盖能力强、热稳定性好、电阻率较低、易于干法刻蚀等特点,能满足大规模IC多层互连线要求.由它构成的大规模数模混合集成电路,在退火条件分别为500°C5、h,600°C、30 min,650°C5、min的实验后仍保持性能.以上退火条件符合基于铁电薄膜的微传感器系统单片集成的要求.     

同时形成用于浅结器件的TiNxOy／TiSi2的热稳定性

用900℃15秒快速热退火使硅上钛膜在高纯NH_3中同时形成TiN_xO_y/TiSi_2双层结构.研究了TiN_xO_y作为Al的扩散势垒的有效性.结果表明,Al/TiN_xO_y/TiSi_2/Si接触系统直至550℃在N_2中烧结30分钟仍然具有良好的热稳定性.     

AVCO SiC(SCS-6)纤维力学性能的研究

着眼于改善纤維强化复合材料的性能,AVCO碳化硅(SCS-6)纤维已经成为最有竟争力和性能最优异的结构材料之一。本文研究了纤维的室温拉伸强度和夹头跨度间的关系,纤维力学性能和热暴露温度和时间的关系。本研究结果无疑将有助于复合材材的设计和发展。