制造模式变迁的动力机制及其特征分析

制造模式变迁过程受制于三类因素，即制造模式现有状态、制造模式的四大基本维度（技术与方法、文化、组织结构以及和谐管理)和外部环境中的随机涨落因素。该过程表现出非平衡相变、对称性破缺、分叉等特征。当新的制造模式形成时，其研发投入、文化、组织结构及其管理、知识调配都须有很大的变动和调整。     

半导体器件中的量子隧道效应

利用隧道效应器件的量子力学理论 ,说明了隧道效应电子在势垒区内部的行为 .     

重型载货商用车车架结构与纵梁制造技术

介绍了国内外重型载货商用车车架产品的结构设计和结构特征,并提出了车架纵梁的制造技术工艺和设备特点。     

A Survey of the Use of the Discrete-event Simulation in Manufacturing Industry

In this work, a survey of companies has been produc ed from a questionnaire and in-depth inter-views. The aimof the paper is to give a current view of the use of DES (Discrete- Event Simulation) in the indust ry. The companies have been selected in a wide range in e.g. size, capital turno ver and employees. The survey was restricted to Sweden, although the results may be applicable to other countries with similar industrial structure. Some of the companies investigated are also multinational with branc...     

用扩展电阻法研究陶瓷微区电导性能

本文把扩展电阻法应用于陶瓷微区电导性能研究.建立了微区的定位标识系统,可精确、方便地对选定的微区进行电导性能及组分的重复测定.该方法在研究Ba(Sn_(1-x)Sb_x)O_3、ZnO及BaTiO_3半导体瓷应用中得到有意义的结果.     

器件表面保护用有机硅漆导电机理的探讨

通过测量不同固化条件下高压硅器件用有机保护材料聚酯改性硅有机漆SP的电阻率随温度变化的规律,并借助于对经各种条件固化后SP的热重、差热分析、红外光谱分析,研讨了它的高温导电机理.实验结果表明,在一定的固化条件下,固化后的材料在高温时具有最高的电阻率,材料中离子输运最弱,并具有较佳微观结构,这时材料的固化温度是210℃.提出了SP的高温电导主要是含羟基的分子产生的本征离子电导的新观点,建立了SP的高温导电模型,并对电性能测量结果作出了新的解释.     

神经网络在成组技术方面的应用

阐述了成组技术及其在高级制造技术中的作用，在此基础上描述了神经网络在零件编码分类系统中的应用以及用神经网络设计制造单元的方法。     

电子束熔化成形与锻造Ti6Al4V合金的腐蚀行为对比研究

本工作采用电化学工作站研究了电子束熔化技术（EBM）成形TC4样品和传统锻造TC4在3.5wt% NaCl溶液中的电化学腐蚀行为. 结果表明EBM成形TC4样品的非平衡微观结构使其与传统锻造的TC4相比,表现出不同的耐腐蚀性. EBM成形TC4样品与锻件TC4相比,EBM成形样品不同平面存在耐蚀性差异,而且EBM水平面大于锻件,EBM垂直面小于锻件. EBM成形TC4样品垂直面出现的腐蚀性能的各向异性主要是β柱状晶导致的. 在腐蚀的过程中,点蚀优先发生在α晶界,因为晶界能量较高,形成多孔的钝化层. 本项工作有助于丰富增材制造制备TC4合金在航空钛合金领域的腐蚀性能研究.     

Preparation and optical properties of solid solution semiconductor (Zn x Cd1−x S) doped silica glasses

Semiconductor(Zn_xCd_1−x S) doped silica glasses were prepared by Sol-Gel process andin situ growth technique. The structure of the materials was characterized by X-ray diffraction technique, the particle size of semiconductor crystallites from X-ray patterns was estimated less than 10 nm. From absorption spectra, it is obtained that the absorption edges shifted to short wavelength direction when Zn contents increased, and the absorption edge can be adjusted from 2.46 eV to 2.96 eV by controlling Zn contents. The third-order nonlinear optical susceptibility was studied at 532 nm with 8 ns pulse laser by degenerate four wave mixing (DFWM) technique.