绝缘栅PMOS的SUPREM—SEDAN联机模拟研究

本文分析及研究了作者对绝缘栅ＰＭＯＳ场效应结构所进行的ＳＵＰＲＥＭ—ＳＥＤＡＮ联机模拟．重点在衬底电阻率（掺杂浓度）与ＭＯＳ结构阈值电压之间的定量关系上得到了与实验完全一致的结果．同时，定量地描述了栅氧层中电离电荷的分布及其行为．揭示了上述效应的机理．     

半导体器件中的量子隧道效应

利用隧道效应器件的量子力学理论 ,说明了隧道效应电子在势垒区内部的行为 .     

热管集热墙的实验研究

一、引言 被动式太阳房中大多数利用特朗勃墙作为集热蓄热墙。这种集热P件在有日照时外表面温度高,热损失大,夜间供热量小,供热品质不佳。在夜间增加保温盖板或保温帘可以减少热损失,但又带来了构造的复杂化及人工操作的麻烦。 为了克服上述缺点,设计了一种热管与水箱相结合的太阳能集热蓄热供暖装置,对其进行了实验研究。实验的目的是(1)与传统的特朗勃墙的热工性能进行对比;(2)利用实验数据回归出该种集热墙的热性能经验公式;(3)对其进行技术经济评价。     

半导体激光器行波速率方程的研究

考虑了ＩｎＧａＡｓＰ半导体激光器的俄歇效应后，对描述稳态运行的半导体激光器的行波速率方程组进行了修正，求得了隐函形式的解析解，并以此对激光器的一些重要持性进行了讨论。     

用扩展电阻法研究陶瓷微区电导性能

本文把扩展电阻法应用于陶瓷微区电导性能研究.建立了微区的定位标识系统,可精确、方便地对选定的微区进行电导性能及组分的重复测定.该方法在研究Ba(Sn_(1-x)Sb_x)O_3、ZnO及BaTiO_3半导体瓷应用中得到有意义的结果.     

器件表面保护用有机硅漆导电机理的探讨

通过测量不同固化条件下高压硅器件用有机保护材料聚酯改性硅有机漆SP的电阻率随温度变化的规律,并借助于对经各种条件固化后SP的热重、差热分析、红外光谱分析,研讨了它的高温导电机理.实验结果表明,在一定的固化条件下,固化后的材料在高温时具有最高的电阻率,材料中离子输运最弱,并具有较佳微观结构,这时材料的固化温度是210℃.提出了SP的高温电导主要是含羟基的分子产生的本征离子电导的新观点,建立了SP的高温导电模型,并对电性能测量结果作出了新的解释.     

基于掺铕钨酸盐荧光强度比的非接触温度传感

为了突破传统测温技术应用的局限性,利用NaY （WO₄）₂：Eu³⁺玻璃陶瓷（glass ceramics,GC）实现了具有非接触、实时响应、自校准等优势的双模荧光强度比（luminescence intensity ratio,LIR）测温。采用高温熔融淬灭法制备出含NaY （WO₄）₂：Eu³⁺纳米晶的透明GC样品,并进行系列光谱测量和热敏性能分析。结果表明,样品中Eu³⁺的激发态能级⁵D₁和⁵D₀和基态能级⁷F₂和⁷F₀为两对独立的热耦合能级,可分别基于这两对热耦合能级实现性能优异的双模LIR温度传感。该双模LIR测温技术数据可靠、测温范围广、灵敏度高,再结合GC材料优势,是可用于光纤温度传感器的核心技术材料。     

Preparation and optical properties of solid solution semiconductor (Zn x Cd1−x S) doped silica glasses

Semiconductor(Zn_xCd_1−x S) doped silica glasses were prepared by Sol-Gel process andin situ growth technique. The structure of the materials was characterized by X-ray diffraction technique, the particle size of semiconductor crystallites from X-ray patterns was estimated less than 10 nm. From absorption spectra, it is obtained that the absorption edges shifted to short wavelength direction when Zn contents increased, and the absorption edge can be adjusted from 2.46 eV to 2.96 eV by controlling Zn contents. The third-order nonlinear optical susceptibility was studied at 532 nm with 8 ns pulse laser by degenerate four wave mixing (DFWM) technique.     

释光测年在应用研究方面的新进展

根据释光测年是地质学研究和考古学研究领域重要的研究手段和断代方法，总结出了在近十多年来应用该方法在以下几个方面所取得的成果及进展：（1）主要包括激发光源、晒退光源、辐射源以及操作软件等技术设备方面的巨大进展，以及由于释光测年技术设备精度的提高而由此极大地降低了释光测年的系统误差；（2）以单片再生测年技术和线性调整技术为代表的多种测年方法的快速发展，使得不同类型样品等效剂量的测定更加准确，而且测年流程更加简单易于操作；（3）测年材料不仅包括经受热过（主要是陶瓦）和经充足曝光的物质，同时对未经充足曝光的物质（如水积物和崩积物等）和其他经受热过的物质（如断层泥等）等也进行了大量的测年研究，从而极大地拓展了释光测年的应用领域；（4）各种年剂量测定方法的相互补充降低了在年剂量测定方面的不确定性．