射频溅射金属前驱体硫化法制备的Cu2ZnSnS4薄膜

采用射频溅射技术沉积Cu／Sn／Zn金属前驱体叠层结合硫化技术在玻璃衬底上成功制备了Cu2ZnSnS4薄膜。X-射线衍射分析表明，通过优化制备条件可以获得单一黝锡矿结构且具有（221）择优取向的Cu2ZnSnS4薄膜。霍尔效应和紫外可见透过谱测量表明，样品的薄膜电阻、吸收系数和光学带隙分别达到0．073Ω·cm，10^4cm^-1和1．53eV，具有适合作为薄膜太阳电池吸收层应用的可能性。     

SiH_4射频辉光放电等离子体特性的光发射研究

采用ＯＭＡ－４０００测量了ＳｉＨ_４射频辉光放电等离子体的光发射谱，研究了其谱线强度随放电射频功率和反应气体流量间的变化关系。结果表明：在放电射频功率增加和反应气体流量升高的过程中。其等离子体状态分别发生了性质不同的转变，这种转变联系到射频功率耗散机制的变化。当反应气体流量增加时，电子获得能量的机制由阴极暗区加速转变为等离子体内电场的加热效应；而在放电功率升高的过程中，离子轰击阴极产生的二次电子发射效应导致了光发射谱强度急剧增强的转变。     

Photoluminescence from Ge-SiO2 thin films and its mechanism

Ge-SiO₂ thin films were deposited on p-type Si substrates using the radio frequency (rf) magnetron sputtering technique with a Ge-SiO₂ composite target. Films were annealed in N₂ ambience for 30 min at 300℃—1000℃ with an interval of 100℃. Through the X-ray diffraction, the average size of Ge nanocrystals (nc-Ge) was determined. They increased from 3.9 to 6.1 nm with increasing annealing temperature in the range of 600℃—1000℃. Under ultraviolet excitation, all samples emit a strong violet band centered at 396 nm. With the formation of nc-Ge, the samples exhibit another emission of orange band with the peak at 580 nm and its intensity increases with the increasing size of nc-Ge. The peak positions of two bands do not shift obviously. Experimental data indicate that the violet band comes from GeO defect and the orange band originates mainly from the luminescence centers at the interface between the nc-Ge and SiO₂ matrix.     

不同气氛沉积和后退火处理的HfOx〈2薄膜的弱铁磁性

无磁性掺杂HfO2薄膜的室温弱铁磁性是2004年发现的一种不能用传统固体铁磁理论释的奇特磁现.本文用射频磁控溅射方法在不同气中制备和后退火HfOx薄膜样品,对比研究气对其室温弱铁磁性的影响.物析表明,室温沉积在蓝石衬底上的HfOx薄膜为部晶的单斜多晶薄膜,且存在一定程度的氧失配.室温磁性测量果显示HfOx〈2多晶薄膜具有典型的弱铁磁性磁化曲,且饱和磁矩具有各异性.对比实验果表明,缺氧气（纯氩或氩氮混合气）中沉积薄膜的和磁矩略大于富氧气（氩氧混合气）中沉积薄膜的和磁矩.缺氧气（纯氮和高真空）中后退火处理后,薄膜饱和磁矩随着退火温度的升高而增大;而纯氧气中后退火处理后,薄膜和磁矩大幅减小.沉积和后退火气中氧含量的高低对薄膜和磁矩的显影响表明氧空位是HfOx〈2薄膜弱铁磁性的要来源之一.     

退火温度对未掺杂ZnO薄膜的结构、电学和光学性质的影响

本工作利用磁控溅射技术在石英衬底上生长出沿c轴择优取向的未掺杂ZnO薄膜,利用X射线衍射,光致发光,X射线光电子谱和Hall效应测量技术,研究了退火温度对结构、电学和光学性质的影响.发现真空退火可以提高ZnO的晶体和光学质量.生长的ZnO薄膜呈绝缘性质,经真空退火后变成导体,且导电类型和电性随退火温度而改变,并经590℃退火后获得p型ZnO.本文对退火影响ZnO结构、电学和光学性能的物理机制进行了讨论.     

一个基于Hausdorff距离的图像消噪新方法

红外图像在实际采集过程中出现的噪声对基于红外图像的工程应用、尤其是在使用距离作为评价工具时,对评价效果的准确性具有不同程度的影响,但距离又是一种具有实用价值的评价工具。为了解决这一矛盾,在分析以往消噪方法的基础上,考虑到使用Hausdorff距离对图像预处理的特殊要求,提出了一种去除局部强噪声点的新方法。通过仿真实验证明,该方法比以往常用的去除噪声的方法要好,即在去除强噪声的同时,很好地保留了图像的低频轮廓、纹理以及边缘,特别是它能够更有效地排除噪声对使用Hausdorff距离的影响     

介观谐振子电路中四模连续变量完美最大纠缠的实现

本文我们将基于连续变量EPR纠缠态以及分束器算符的理论表达式提出四模连续变量完美最大纠缠态(CV PMES)的理论表达形式,在此基础上,进一步利用超导介观LC谐振子电路通过射频超导量子干涉仪进行耦合的系统,提出在实验上近似实现四模连续变量完美最大纠缠态的理论实现方案.     

TiO2纳米薄膜和TiO2／ZnFe2O4纳米复合薄膜的光学性能研究

用磁控溅射方法制备了ＴｉＯ２ 纳米薄膜和ＴｉＯ２／ＺｎＦｅ２Ｏ４ 纳米复合薄膜,研究了不同温度热处理和不同含量纳米铁酸锌对纳米ＴｉＯ２ 薄膜光学性能的影响。研究结果表明：用磁控溅射方法制备的纳米薄膜的厚度和晶粒尺寸均匀,并且随着热处理温度的升高而增大,掺杂纳米ＺｎＦｅ２ Ｏ４后ＴｉＯ２ 纳米薄膜的晶粒尺寸略有减小。ＸＲＤ 研究发现ＴｉＯ２／ＺｎＦｅ２Ｏ４ 纳米复合薄膜由非晶相向锐态矿相转变的温度高于纳米ＴｉＯ２ 薄膜。ＴｉＯ２ 纳米薄膜和ＴｉＯ２／ＺｎＦｅ２ Ｏ４ 纳米复合薄膜的光吸收边都随着晶粒尺寸的降低而发生蓝移,在相同热处理条件下,掺杂纳米ＺｎＦｅ２ Ｏ４ 后,纳米ＴｉＯ２薄膜的光吸收边发生了较大范围的红移,红移量随着掺杂量的增加而增大。通过热处理和掺杂纳米ＺｎＦｅ２Ｏ４ 可以实现对纳米ＴｉＯ２ 薄膜光吸收边大范围的调制。