硫酸三甘肽的正电子寿命谱研究

配合时域介电谱方法用正电子湮没技术对硫酸三甘肽（ＴＧＳ）的铁电相变过程进行了测量，发现正电子寿命谱有两个较强的成份和一个很弱的成份，后者相应于正电子偶素，各分量在相变点附近很窄的温区出现奇异性质，对其起因作了解释     

多巴胺D2受体PET成像在制备帕金森病大鼠模型中的作用

将23只帕金森病(PD)成功模型大鼠分别进行11C-Raclopride PET显像,ROI方法测量模型大鼠两侧纹状体/小脑比值并进行统计分析,比较两侧有无显著性差异。正常与模型大鼠分别进行TH免疫组化染色。结果表明,模型大鼠毁损侧纹状体放射性明显上升,两侧纹状体/小脑比值统计比较,p值为0.000,具有显著性差异;同时,模型大鼠TH染色黑质处阳性神经元数量减少。通过PET多巴胺D2受体成像在体显示PD模型大鼠毁损侧纹状体D2受体状态,再结合行为学观察可作为证实模型成功的标准之一,为基础研究和临床诊断PD提供了一种分子成像工具。     

基于增量优化传递的正电子发射断层图像重建

将增量优化传递算法用于正电子发射断层图像重建中,得到一种新的最大后验概率图像重建算法,实验结果表明,相对于滤波反投影和最大似然期望值最大化算法,有序子集可分离的抛物面型替代函数算法和发射增量优化传递算法得到的图像归一化均方误差较小,且边界得到一定的保持.在迭代的初期,有序子集可分离的抛物面型替代函数算法收敛较快,误差小;当迭代到一定的次数时,发射增量优化传递算法误差小,且能够有效收敛,对发射扫描断层图像重建产生重要的影响.     

正负电子湮灭中粒子的快度分布

用修正了的热化模型分析了高能碰撞中粒子的快度分布,计算结果与质心能量√s=14,22,29和34GeV的e^ e^-湮灭的实验数据符合。     

铅掺杂Bi系超导体正电子寿命研究

在室温下测量了Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２－ｘＭｇｘＯ８＋δ超导体的正电子寿命，发现正电子体寿命τｂ随着Ｐｂ含量ｘ的增加而减小；测量了转变温度Ｔｃ结果表明，Ｍｇ替换不影响电子结构，Ｐｂ替换使电子从Ｃｕ－Ｏ面迁移到Ｂｉ－Ｏ层，并导致ＣＵ－Ｏ面空穴浓度增加，转变温度Ｔｃ减小．     

深冷处理对Cu-15Ni-8Sn合金电性能的影响

采用正电子湮没试验方法测定了Cu 15Ni 8Sn合金在经过不同深冷处理工艺后点缺陷(空位)的浓度变化,并用双臂直流电桥测定了电阻率的变化.研究表明,深冷处理能够减小合金中的空位浓度,降低电阻率,提高合金的导电性.此外,试验表明该弹性导电合金的最佳深冷处理工艺为深冷60min.     

金属中电子结构的密度泛函方法与正电子湮没技术

以密度泛函理论为基础,利用简化的胶体模型,在局域密度近似下研究金属中的空位型缺陷的电子结构和以正电子寿命为表征的缺陷谱.结果表明,随着空位尺度的增加,正电子寿命亦增加并直到饱和值.     

锰氧化物La0.67Ca0.33Mn0.9A0.1O3的正电子湮没研究

采用固相反应法制备了La0.67Ca0.33Mn0.9A0.1O3(其中A为Cr、Co、Fe、Al、Cu)系列Mn位替代的氧化物样品;利用正电子湮没对该系列样品的结构缺陷进行了分析,结果表明:τ1的变化范围不大,表明样品主要受大尺寸点缺陷的影响,τ2的变化比较明显,说明样品内存在一定数量的空洞及微空洞等缺陷.类比合金中正电子长寿命与缺陷簇之间的关系,估算了元素替代后样品的缺陷半径大小,可能大的空位团簇、位错和晶界在样品中起着重要作用.按Cr、Co、Fe、Al、Cu的掺杂顺序,平均寿命τavg逐渐增加,而电子密度ne则逐渐减小.说明元素掺杂引起锰离子局域环境的改变,样品中的铁磁与反铁磁作用的相互竞争及样品内部电子局域化所形成的极化行为等因素的影响,导致了正电子寿命各参数的变化.     

用PAT和SAXS研究羧酸型聚酯聚氨酯离聚体的微畴结构

本文用羧酸型聚酯聚氨酯离聚体和它的金属盐材料作正电子湮没(PAT),小角X射线散射(SAXS)以及比重法测量材料密度的实验,实验的结果表明,随着金属离子价数的增加,反离子半径增大,微畴体积增大,材料中的自由体积减小。本文还讨论了PAT和SAXS实验应用范围,并表明PAT是研究羧酸型盐聚酯聚氨酯离聚体微畴结构的有意义的方法。