Au—Si界面的室温反应

本文利用XPS研究了在超高真空条件下形成的Au—Si(113)界面初始阶段的室温反应,测量了Si2p、2S和Au4f光电子发射峰的强度和能量位置随Au复盖量的变化。所有的结果都表明,与Au—Si(111)和Au—Si(100)系统一样,存在一个发生界面室温反应的临界Au厚度～5ML,从而推断,这个现象可能是Au—Si界面形成过程的普遍特性。根据我们的实验结果,还讨论了Au—Si界面形成的可能模型。     

基于小波变换的心室晚电位检测

采用改进的小波变换对２８例信号平均心电图进行小波分析，得出其频谱标测图，并计算了晚电位检测的一种定量标准———正常因子．研究结果表明，利用小波变换分析晚电位是一种较好的方法，按照正常因子标准，２８例信号平均心电图中包含的６例晚电位阳性全部检出，且没有错检，说明其检测的准确性很高     

稀土元素在Ag-BaO光电薄膜中的作用

根据光电阴极的固溶胶理论,结合实验结果对稀土元素在Ag-BaO薄膜中的作用及其对光电发射性能的影响进行了分析。结果表明,增强光吸收和改善光电子输运条件是提高Ag-BaO薄膜光电发射电流的两个因素,而Ag纳米粒子的粒度对这两个因素都有重要影响。由于金属纳米粒子的光吸收是表面等离子激元的吸收,稀土元素在Ag-BaO薄膜中对Ag纳米粒子的细化,球化和密集的作用,使纳米粒子总表面增大,有利于增强薄膜的光吸收能力。Ag纳米粒子的细化还能够增大等效洛仑兹振子能量,降低金属微粒与半导体等效界面位垒,改善光电子输运条件,因而稀土元素在Ag-BaO薄膜中可以起到提高Ag-BaO薄膜的光电发射性能的作用。     

BaO晶体中的Ba超微粒子

超额Ba对于一个激活良好的氧化物阴极来说是必不可少的,它在BaO晶体中可以有两种存在形式：氧缺位和Ba超微粒子。当BaO晶体中的氧缺位浓度超过临界值的时候,就开始有Ba超微粒子的形成和生长。从Ba超微粒子的角度讨论了文献中报道的与含有超额Ba的BaO晶体有关的各种实验结果。BaO晶体在2.0eV光子能量附近的光吸收是由Ba超微粒子引起的,而氧化物阴极具有较低的逸出功是因为有氧缺位的存在。氧化物阴极与S-1阴极有着类似的光电发射机理。     

数字光电效应实验仪的设计

通过对GP -1型光电效应实验仪经常出现问题的分析 ,提出了数字光电效应实验仪的设计原理和具体电路 ,并且利用数字光电效应实验仪测量了相应的实验数据 ,结果表明该设计方案简洁可行。     

Adsorption and reaction of CO and O2 on the Ag/Pt(110) surface studied by photoemission electron microscopy

The Ag/Pt(110) model catalyst was prepared by evaporating silver on Pt(110). Adsorption and reaction of CO and O₂ on Ag/Pt(110) surface were studied in situ by photoemission electron microscopy (PEEM) during the pressure range of 10^-5——10^-2 Pa at 480 K. The Ag/Pt(110) surface consisted of Pt(110), AgPt interface and Ag area after annealing at 500 K. The dosing pressure of CO and O₂ had a larger influence on their adsorption on the Ag area than on the Pt(110) and AgPt interface. Small Pt clusters formed on the Ag area and AgPt interface, which had a stronger ability to adsorb CO than Pt(110) terrace. The existence of Ag had an obvious influence on the kinetic of CO oxidation on Pt(110). No pattern was observed on the AgPt interface under the same condition when the formation of reaction-diffusion waves occurred on Pt(110).     

Laser induced photoemission electron and the generation of high Rydberg states of atoms and molecules

Laser induced photoemission electron was produced by directing 532 nm and/or 355 nm onto stainless steel plate on a time of flight mass spectrometer. Multiple charged ions and high Rydberg states of atoms or molecules were successfully generated by impacts of the photoemission electrons. The high Rydberg states ( n ～40-100) thus produced were separated from ions, produced by direct electron impact ionization, by a 3 V DC electric field and then ionized by a delayed pulsed HV electric field in a ZEKE-PFI manner. Relationship between generation/property of high Rydberg states of atoms/molecules and experimental conditions could be investigated. Relationship between the electron accelerating voltage and high Rydberg states of Ar was described.     

金属Rb掺杂Alq3的电子结构及其退火与氧化行为

利用同步辐射光电子能谱实验技术研究了活泼金属铷原子掺杂8-羟基喹啉铝（Rb—Alq3）薄膜的电子结构以及低温退火与氧化行为，结果表明铷和Alq3分子发生显著反应，电子从金属原子转移到Alq3的LUMO轨道，形成活泼金属／有机接触中典型的带隙态，结合能位于1．2eV．在低温退火后，Rb—Alq3的价带往高结合能端整体位移0．1eV，真空能级保持不变，带隙态仍然可辨；深度氧化后，带隙态消失，最高占据态（HOS）基本回到退火氧化处理前的位置，但真空能级抬高了近1ev．Rb—Alq3氧化后的最小电离势增大了约1eV，而纯净Alq3薄膜只增大0．05eV左右．     

Gd-Ni界面的电子结构及其氧化现象

用同步辐射光电发射谱 (SRPES)和XPS研究了室温下Gd膜在Ni(1 1 0 )上的生长和Gd Ni界面的电子结构以及它们的氧化现象 .发现Gd膜在高覆盖度时Gd 4f为双峰结构 ,高温退火使 4f双峰退为单峰 .氧在 3.7nm的Gd膜上的吸附引起Gd 4f双峰中高结合能峰的衰减 ,在 0L～ 5 0L的氧暴露量范围内 ,只存在单一的晶格氧物种 .在轻微氧化的Gd Ni复合薄膜上 ,氧吸附引起Gd向表面的偏析和进一步氧化 ,并存在化学吸附氧 (O-)和晶格氧两种氧物种 .本文对Gd 4f双峰的起源 ,Gd氧化机理以及氧物种的本质进行了讨论