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1.
2.
3.
本文把扩展电阻法应用于陶瓷微区电导性能研究.建立了微区的定位标识系统,可精确、方便地对选定的微区进行电导性能及组分的重复测定.该方法在研究Ba(Sn_(1-x)Sb_x)O_3、ZnO及BaTiO_3半导体瓷应用中得到有意义的结果. 相似文献
4.
器件表面保护用有机硅漆导电机理的探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
通过测量不同固化条件下高压硅器件用有机保护材料聚酯改性硅有机漆SP的电阻率随温度变化的规律,并借助于对经各种条件固化后SP的热重、差热分析、红外光谱分析,研讨了它的高温导电机理.实验结果表明,在一定的固化条件下,固化后的材料在高温时具有最高的电阻率,材料中离子输运最弱,并具有较佳微观结构,这时材料的固化温度是210℃.提出了SP的高温电导主要是含羟基的分子产生的本征离子电导的新观点,建立了SP的高温导电模型,并对电性能测量结果作出了新的解释. 相似文献
5.
Semiconductor(ZnxCd1−x
S) doped silica glasses were prepared by Sol-Gel process andin situ growth technique. The structure of the materials was characterized by X-ray diffraction technique, the particle size of semiconductor
crystallites from X-ray patterns was estimated less than 10 nm. From absorption spectra, it is obtained that the absorption
edges shifted to short wavelength direction when Zn contents increased, and the absorption edge can be adjusted from 2.46
eV to 2.96 eV by controlling Zn contents. The third-order nonlinear optical susceptibility was studied at 532 nm with 8 ns
pulse laser by degenerate four wave mixing (DFWM) technique. 相似文献
6.
ITO透明半导体膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺,在玻璃衬底上成功地镀制了ITO透明半导体膜,其可见光透过率达80%以上,电阻率降到3×10~(-4)(?)cm以下。 相似文献
7.
对增益开关半导体激光器产生的有啁啾光脉冲经GT干涉仪的脉定压缩效应进行了理论和实验研究。GT干涉仪由相互平行的全反射镜和部分反射镜组成。干涉仪的反射率恒等于1,其色散曲线呈周期性变化。在一个周期内,色散有正有负。调节二镜间距,使其具有适当的色散特性,可用来压缩光脉冲。理论计算和实验结果均表明,压缩后光脉冲形状随GT干涉仪反射镜间距的变化而变化。在某种情况下,光脉冲呈分裂状。在适当的条件下,可得到很好的压缩效果。实验得到最窄光脉冲的脉宽为 5.5 ps,压缩比为 8.4。 相似文献
8.
9.
基于Petri网的分层半导体制造过程调度结构 总被引:1,自引:0,他引:1
针对复杂的半导体制造过程调度,在综述现有调度问题及方法的基础上,提出由投料调度、路径调度和两种类型的工件调度共同组成的分层调度结构的思想及方案,继而基于Petri订网模型,探讨所提出的分层半导体调度结构基于Petri网模型的实现方法,最后通过仿真对分层调度结构加以应用验证,并总结全文. 相似文献
10.
郑永军 《曲阜师范大学学报》2004,30(4):75-78
介绍了一种光敏封装胶的制备方法、性能及应用情况.试验表明,该胶具有光学性能优良,粘接强度高,固化定位速度快,低收缩率,耐高低温变性好等优点.可用于光纤通讯器件的粘接封装。 相似文献