化学法清洗硅片过程中清除颗粒的机理(英文)

对化学法清洗硅片过程中消除颗粒的机理作了定量的探讨。颗粒的清除是由于化学蚀刻和颗粒与表面排斥力共同作用的结果。首次提出了最浅蚀刻深度和最小蚀刻速度的概念。最浅蚀刻深度可通过颗粒与表面间作用能的关系进行计算。是小蚀刻速度则可通过蚀刻侧形进行计算。研究结果对于优化化学法清洗过程和设计高性能清洗液都具有重要意义。     

Patterned deposition of multi-walled carbon nanotubes on self-assembled monolayers

The excellent electro-mechanical properties and chemical stability of CNTs promise a prospective ap- plications in nanotechnology. For electronic applica- tions, CNTs have been proved successful in practice in producing components such as a junction and f…     

Study on the Brocades of Han Dynasty in Philadelphia Museum of Art

TheBrocadeinAncientChina Thebrocade“jin(锦)”isapolychromefiguredsilk wovenbydyedwarpendsandfillingswithamulti layeredstructure.InancientChina,thebrocadewaswovenwith warp facedcompoundweavebefore6thcenturyA.D.The patternisformedwiththecontrastofdifferentcoloredwarp ends.Theweavesinthepatternandinthebackgroundarethe same.(Fig.1)Thesetwofeaturesmakeiteasiertobe distinguishedfromanyotherfiguredsilk. Asuniqueinstructure,itwasaveryintricateand difficultworkforweaving,andwasverytime consumi…     

基于有色赋时Petri网的半导体生产线建模技术研究

在深入了解半导体制造过程的基础上,为了有效分析半导体生产线调度与控制性能,提出了有色赋时Petri网的半导体生产线建模方法。该模型,根据生产线所存在主要调度子问题及其之间的相互关系,将半导体生产线划分为投料控制模块、路径调度模块和工件调度模块,这样可以有效降低模型的复杂性和提高模型的可重用性。建立以一个拥有3个工作中心、6台设备的半导体生产线Petri网模型,并对模型进行分析。最后指出了下一步的工作目标。     

SiO2沟槽晶圆片在快速热处理中的温度分布

采用传导与辐射耦合传热模型,对快速热处理工艺中晶圆片内传热过程进行了数值模拟,研究了SiO2沟槽宽度和沟槽排列密度对晶圆片温度分布的影响.结果表明:在SiO2沟槽宽度相同的情况下,沟槽排列密度越大,晶圆片总的温度水平越高,但对温度均匀性几乎没有影响.这是由于沟槽排列密度增大使得晶圆片表面中SiO2所占份额增加,晶圆片表面总的吸收系数增大,吸收的入射辐射能增多,从而使温度水平提高.在SiO2沟槽排列密度相同的条件下,沟槽宽度的变化对于晶圆片总的温度水平和温度均匀性几乎没有影响.     

用于胶版印刷的可热固化环氧树脂/异氰酸酯体系

提出了一种以聚二甲基硅氧烷(PDMS)为印刷滚筒的、在玻璃基材表面可大面积印刷聚合物图案的胶版印刷技术,并开发了相应的油墨。该油墨由环氧树脂基聚合物BPAN及异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)组成的热固性双组分聚合物体系和红色分散颜料组成。采用原位红外光谱法研究了热固性体系的热固化。结果表明BPAN/IPDI双组分体系有良好的热固化性能。固化薄膜具有良好的耐溶剂性能和光学性能。应用本工艺得到分辨率为100μm的聚合物图案。     

单晶硅片化学机械抛光材料去除特性

根据化学机械抛光(CMP)过程中硅片表面材料的磨损行为,建立了硅片CMP时的材料去除率模型,设计了不同成分的抛光液并进行了材料去除率实验,得出了机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率.结果表明,磨粒的机械作用是化学机械抛光中的主要机械作用,磨粒的机械作用与抛光液的化学作用交互引起的材料去除率是主要的材料去除率.     

平面偏振光经单轴晶体薄片后振幅的改变

平面偏振光经单轴晶体薄片后,若考虑入射光与透射光的振幅比,则要想获得较理想的圆偏振光,入射光的偏振平面与λ／4波片主截面的夹角应在α=45。修改为α=tg-1 。V     

基于DBSCAN与HL相结合的晶圆成品率预测研究

对半导体成品率进行预测分析可有效控制产品成本,提高产品质量,而缺陷问题是导致半导体成品率损失的关键因素。因此,考虑晶圆缺陷聚集特性和数据嵌套性,研究了一种密度聚类与多水平逻辑回归相结合的受缺陷限制的成品率预测方法。首先采用密度聚类算法获取晶片缺陷模式类型;将在线缺陷数据在晶片水平进行整合,作为多水平逻辑回归模型的输入参...     

Improvement of extraction efficiency for GaN-based light emitting diodes

A simple, low cost method for mass production to enhance the light extraction efficiency of GaN-related LEDs was proposed. With appropriate process parameters, the nature lithography of nanosphere can be used to fabricate two- dimensional nanostructures, including the nanomesh ZnO layer, photonic crystal (PhC) patterned p-GaN, and patterned sapphire substrates. Based on preliminary results, the extraction efficiencies of LEDs with these nanostructures can thus be improved and the nature lithography is demon...