电荷屏蔽对超新星前身星阶段电子俘获的影响

利用Langanke等人给出的新的弱相互作用理论，分析了在超新星前身星阶段，电荷屏蔽对电子俘获的影响．分析中屏蔽势采用最近Itoh等人用线性响应理论导出的结果．表明在高密情况下电荷屏蔽对电子俘获率的影响是明显的．     

s-过程核合成参数化研究与铅星产生的物理条件

介绍了重元素核合成理论和一些最新的AGB星核合成模型,利用参数化方法计算了AGB星核合成的产量,得到了不同中子数密度(初始金属丰度)、脉冲周期、重叠因子下[Pb/Ce]的数值,在此基础上讨论了铅星产生的物理条件,进而解释了已观测到的各金属丰度下AGB星Pb丰度离散的问题.     

AGB星表面的重核素丰度

以＾１３Ｃ（ａ，ｎ）＾１６Ｏ及＾２２Ｎｅ（ａ，ｎ）＾２５Ｍｇ作为双脉冲中子原，对于星族Ⅰ低质量ＡＧＢ星，采用无分叉ｓ－过程反应通，结合最新恒星演化的计算结果，在各物理参量合理取值范围内，计算了ＡＧＢ星表面重核素的丰度。     

电荷屏蔽与超新星前身星阶段电子丰度的变化率

超新星的前身星核心区的电子丰度 ,是Ⅱ型超新星的理论研究中最关键参数之一 .对于Ｉ型超新星 ,尽管其坍缩的主要原因是当吸积白矮星的质量超过Ｃｈａｎｄｒａｓｅｋｈａｒ临界质量时广义相对论效应引起的 ,但是电子俘获会加速其坍缩过程 .电子俘获率的高低不仅影响着前身星演化阶段中的中子剩余 ,同时电子俘获反应伴随着大量中微子的产生 ,电子俘获反应进而冷却了铁核心 .人们对超新星的前身星环境的电子俘获问题进行了广泛的研究 .Ｂｅｔｈｅ等人的研究表明 ,Ｇａｍｏｗ Ｔｅｌｌｅｒ(ＧＴ)共振跃迁能大大增加电子俘获率 ,而且可能影响前…     

AGB星表面重元素丰度:初始丰度的影响

采用新的s-过程核合成模型和分叉s-过程反应通道,分别取太阳系重元素丰度,太阳系纯r和s-main分量的重元素丰度作初值,计算了太阳金属丰度3MTP－AGB星表面重元素丰度,结果表明,不同初值得到不同的表面元素丰度分布。     

AGB星s-过程核合成:中子辐照量渐近分布

根据13C壳层在脉冲间隔期间辐射燃烧释放中子的AGB星s(slow) 过程核合成模型,采用3层简化假设,研究了氦中间壳层的中子辐照量渐近分布。结果表明,中子辐照量分布不再是通常所认为的指数形式,曲线先有一个简短的上升然后再单调下降,但除中子辐照量较低的一个小区域外,分布曲线仍与指数分布非常接近。这与根据恒星模型进行的核合成计算结果一致。     

贫金属星钡和铕丰度的相关性

根据目前已测得的贫金属星中重元素钡和铕的观测丰度,利用通常的最小二乘法确定了[Eu/H]和[Ba/H]之间的线性相关关系,并利用F-检验法和相关系数r检验法对回归效果作了显著性检验.结果表明,贫金属星中[Eu/H]和[Ba/H]之间确存在着显著的线性相关关系,在星系形成早期的极贫金属情况下,重元素钡和铕可能都是由r-过程产生的.     

AGB星He壳层内重元素丰度的变化

采用新的s-过程核合成模型和分叉s-过程反应通道，计算了太阳金属丰度3MTP-AGB星He壳层内重元素核合成，结果表明，中子辐照量小于标准情况时，丰度不能达到渐近分布，中子辐射量子大于标准情况时，达到渐近分布所需的脉冲数为5－10个，中子辐射量参数的合理取值范围为标准情况的0．5－2．5倍。     

星系中子辐照量分布函数

先引入随时间t变化的星系中子辐照量分布函数gρal(t,τ)描述各演化阶段星系s-过程核素丰度的分布规律.利用星系化学演化的三成分模型导出星系中子辐照量分布函数的演化方程,从而建立星系的中子辐照量分布函数gρal(t,τ)与AGB星的中子辐照量分布函数ρAGB(τ)之间的关系.取AGB星中子辐照量为指数分布,当取t=t⊙时,得到了太阳系的中子辐照量分布Sρun(τ).