铁纳米线阵列的结构与微观磁性

采用电化学方法制备了平行排列的Fe纳米线阵列。利用透射电镜、X—射线衍射、物性测量系统和穆斯堡尔谱分别对样品的形貌、晶体结构、宏观磁性和微观磁性进行了研究。结果表明样品形状均匀，但沿纳米线方向有晶体织构，且存在着很强的形状各向异性。利用结果，结合计算机模拟，对样品中原子磁矩的分布进行了讨论。     

CeO_2纳米线阵列的制备

以阳极氧化铝膜(AAO)为模板通过溶胶-凝胶法合成了CeO2 纳米线阵列,并通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)以及X射线光电子能谱(XPS)等对CeO2 纳米线进行了表征.     

超导纳米线单光子探测技术进展

超导纳米线单光子探测技术自2001年出现以来,已经成为超导电子学领域的一个热点研究方向.作为一种新型的单光子探测技术,其具有探测效率高、暗计数低、时间抖动小、计数率高、响应频谱宽、电路简单等优势,综合性能在近红外波段已经明显超越传统的半导体探测技术,成为一种主流的单光子探测技术.本文从应用基础角度出发,对超导纳米线单光子探测器件的材料、器件工艺、性能、系统集成以及前沿应用等进行介绍,并对国际上该领域研究未来的发展趋势进行探讨.     

溶剂热法制备ZnS纳米线束

采用单一前驱体溶剂热法,在聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作表面活性剂条件下,成功合成了ZnS纳米线束.利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外变换吸收光谱及光致发光测试对样品的结构、形貌及物理性能进行了分析与表征.结果表明,所得产物为纯的六面体纤维锌矿ZnS纳米线束,直径在20~30 nm,长度为1.5~2.0μm,并对ZnS纳米线束的形成机理进行了探讨.     

几种纳米线连接方法的比较

对4种电连接纳米线通常使用的方法进行了比较.这些方法包括:(i)采用微机械手现场操作把纳米线放置于预制备的电极上;(ii)离子与电子束辅助沉积;(iii)电子束曝光以及(iv)丢落投掷到预制备的电极上.主要基于产出量、接触电阻、制备难易程度以及进一步形成新器件和结构的可能性等方面进行了细致讨论.     

Fabrication of PEDOT/PSS-ZnO nanowire by self-assembly method under vacuum condition

Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT) has at- tracted much attention due to its high conductivity, excel- lent environmental stability and chemical processabil- ity[1,2]. PEDOT/PSS dispersion is a water-soluble system using poly(styrene sulfonic acid) (PSS) as the doping counterion during polymerization. The inclusion of PSS results in better solubility and processability to the PE- DOT/PSS aqueous dispersion[3, 4]. Recently, synthesis of one-dimensional (1D) multifunc- tional co…     

原位碳包覆增强铜纳米线的化学稳定性

铜纳米线（CuNWs）具有成本低、导电性高、透明及柔韧性好等优点,且铜元素在地表储量丰富,是极为理想的电极材料,特别是用作于柔性及透明电极。然而铜纳米线稳定性差,极易被空气氧化和受化学环境腐蚀,这极大的限制了它们的实际应用。在本文中,我们提出了一种利用水热碳化方法在铜纳米线表面进行原位碳包覆的保护策略,可以有效地增强其化学稳定性。我们系统研究了影响碳膜生长的各种因素,包括葡萄糖前驱体浓度（碳源）、水热温度及水热时间等。我们发现在葡萄糖浓度为 80 mg·mL?1左右,水热温度为 160–170°C,水热时间为1–3 h的条件下,可以在铜纳米线表面均匀生长厚度为3–8 nm的碳膜。所制备的碳包覆铜纳米线（CuNWs@C）表现出优异的抗氧化和抗腐蚀稳定性,在光电子器件领域具有广阔的应用潜力。     

9,10-二(3,5-二氟苯乙烯基)蒽有机纳米线的制备与性质表征

利用再沉淀法制备9,10-二(3,5-二氟苯乙烯基)蒽(TFDSA)有机纳米线,并通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光光谱(PL)表征所制备的纳米线.结果表明:纳米线表面光滑,长度为20~30μm,宽度为400nm,具有较强的绿色荧光发射,发光峰位于538nm处;将单根TFDSA纳米线作为有源波导可在亚微米量级进行光传播.     

W/Hf摩尔比对HfB_2-WB_2-Si/SiC-SiC_(NW)复合涂层抗氧化性能的影响

为了提高C/C复合材料高温抗氧化性能,依次采用前驱体浸渍裂解、反应熔体浸渗和浆料涂刷工艺在C/C复合材料表面制得HfB_2-WB_2-Si/SiC-SiC_(NW)复合涂层,考察了W/Hf摩尔比对复合涂层物相组成、微观结构及抗氧化性能的影响。结果表明,当W/Hf摩尔比为2∶3时,所制HfB_2-WB_2-Si/SiC-SiC_(NW)复合涂层组织均匀、结构致密,表现出最佳的抗氧化性能。在涂层氧化过程中,WO_3的分相效应和HfSiO_4等高熔点颗粒的钉扎效应共同作用能使涂层表面氧化物玻璃相具有较高热稳定性和较低的氧扩散率,有利于提高涂层的抗氧化性能。     

SnO2纳米线阵列的制备及纳米器件的制作

采用简单的溶胶-凝胶方法在多孔阳极氧化铝模板(AAM)的微孔中制备了高度有序的SnO2纳米线阵列。XRD,SEM和TEM对样品进行了结构和形貌的表征,结果表明,高度有序的SnO2纳米线具有四方相的多晶结构,纳米线连续均匀;并对SnO2纳米线阵列的生长机理进行了探讨;最后用聚焦离子束沉积设备制作了单根SnO2纳米线器件。