电化学原子层外延及Te,CD元素欠电势沉积研究

阐述了一种处延沉积化合物半导体的新方法－电化学原子层外延（ＥＣＡＬＥ）并对其基础欠电势沉积（ＵＰＤ）进行了讨论,着重研究了Ⅱ,Ⅳ族元素Ｃｄ,Ｔｅ的电化学欠电势沉积,根据电化学循环伏安曲线,研究了Ｔｅ和Ｃｄ在Ｓｉ－Ａｕ（１１１）基片上以及交替生长过程中ＵＰＤ沉积电位及相应覆盖度值,由此确定了在Ｓｉ－Ａｕ（１１１）衬底上交替沉积Ｔｅ,Ｃｄ原子层的方法,在此基础上,初步进行了多次交替沉积,并用ＡＦＭ与Ａ     

硅基高频器件与SiGe外延技术

本文描述了应用于SiGe外延的分子束外延(MBE)、超高真空化学气相沉积(UHV／CVD)、常压化学气相沉积(APCVD)、快速热化学气相沉积(RTCVD)等几种工艺及这几种工艺中的常见问题，并介绍了近来这些SiGe外延技术的改进，最后从器件角度对以上几种工艺特性进行了比较。     

分解GaP源固态分子束外延生长InGaP/GaAs的结构和性能

采用分解GaP这一新型固态P源分子束外延在GaAs衬底成功制备了InGaP外延薄膜.3μm厚的InGaP外延层低温荧光峰位是1.998 eV,半峰宽为5.26 meV.双晶摇摆曲线的线宽同GaAs衬底相近.霍尔测量非故意掺杂InGaP外延层的室温迁移率同其他源或其他方法生长的外延层结果类似.     

短波长In_xGa_（1－x）As_yP_（1－y）材料的LP－MOVPE生长

本文研究了用低压金属有机化学气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，以三申基镓（ＴＭＧａ）、三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，ＡｓＨ＿３和ＰＨ＿３为Ⅴ族源，在（１００）方向掺Ｓ的ｎ￣＋ＩｎＰ衬底上生长短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料的生长条件，并用双晶Ｘ射线衍射（ＤＣＤ）和光荧光（ＰＬ）对不同条件下生长的短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料进行了表征。     

Si上Ge薄膜特性研究

为了克服Ge雪崩光电二极管(APD)中因Ge的电子与空穴的碰撞离化系数相差不大带来的的较大噪声的缺点,拟研制一种新的器件--Ge/Si的吸收倍增分离雪崩光电二极管(SAM-APD). 先在n-Si衬底上用B+ 注入和分子束外延(MBE)2种方法分别形成p-Si,然后用MBE的方法在其上外延一层Ge膜.利用透射电镜、X光双晶衍射、Hall剥层测量等方法对Ge膜的单晶质量、电特性以及材料的p-n结特性做了分析比较,得到的结论是:Ge膜的单晶质量、电特性都比较好,直接生长的Ge膜的质量要优于经离子注入的Ge膜;但p-n结特性却是经离子注入的要好于直接生长的.     

异质结光晶体管和隐埋新月激光器的单片集成

在国内首次实现了异质结光晶体管（ＨＰＴ）和隐埋新月激光器（ＢＣＬＤ）的单片集成，该器件除了具有光放大功能外，还具有光双稳和光开关功能，其净光增益大于３１，达到８０年代中期的国际先进水平。     

现代外延生长技术

由于现代外延生长技术的不断完善，使异质结器件、量子阱与超晶格材料的生长与应用得到迅速发展．本文概述了目前半导体材料与器件研究最先进的几种外延生长技术，包括ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ、ＣＢＥ、ＡＬＥ和ＨＷＥ．     

Structure and electrical characteristics of Nb-doped SrTiO3 substrates

Strontium titanate (SrTiO3) has been widely used as substrates for growing perovskite oxides thin films be- cause SrTiO3 is chemically and compositionally stable, and has small lattice mismatch with many perovskite oxides[1―3]. It is known that SrTiO3 it…     

HgCdTe薄膜的液相外延生长及低温热处理

ＨｇＣｄＴｅ材料是一种重要的红外探测器材，用液相外延长的ＨｇＣｄＴｅ薄膜是目前制造光伏焦平面器件的主要材料。     

用分子束外延技术按样定制半导体微观结构

在按样定制的半导体微观结构中，通过把异质结精确地植入晶体内即可定域地确定所期望的势能差。分子束外延技术用于以一个原子接一个原子的构建晶体薄膜，从而可以在微观惊工内精确地“裁剪”人工层状晶体。在ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ超晶格中各组分的周期性调制产生了新颖的电子性质，它开辟了崭新的技术用途。