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利用电子辐照小功率二极管的研究结果表明,电子辐射可引起硅中少子寿命降低,二极管正向压降增加和零偏电容减少;还可引入三个缺陷能级:氧空位E1(Ec-0.17eV)、双空位E2(Ec-0.23eV)和E3(Ec-0.39eV)。讨论了小功率二极管辐照后反恢时间下正向压降的兼容性。认为减少功率二极管的基区宽度是改善兼容性的有效方法。 相似文献
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