全文获取类型
收费全文 | 318篇 |
免费 | 13篇 |
国内免费 | 35篇 |
专业分类
丛书文集 | 8篇 |
教育与普及 | 2篇 |
现状及发展 | 3篇 |
综合类 | 353篇 |
出版年
2023年 | 2篇 |
2022年 | 1篇 |
2021年 | 3篇 |
2020年 | 2篇 |
2019年 | 2篇 |
2018年 | 3篇 |
2017年 | 6篇 |
2016年 | 6篇 |
2015年 | 10篇 |
2014年 | 13篇 |
2013年 | 10篇 |
2012年 | 31篇 |
2011年 | 27篇 |
2010年 | 20篇 |
2009年 | 18篇 |
2008年 | 20篇 |
2007年 | 50篇 |
2006年 | 31篇 |
2005年 | 17篇 |
2004年 | 21篇 |
2003年 | 15篇 |
2002年 | 2篇 |
2001年 | 6篇 |
2000年 | 1篇 |
1999年 | 8篇 |
1998年 | 8篇 |
1997年 | 9篇 |
1996年 | 5篇 |
1995年 | 3篇 |
1994年 | 2篇 |
1993年 | 4篇 |
1992年 | 2篇 |
1990年 | 4篇 |
1989年 | 2篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
排序方式: 共有366条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
采用射频溅射技术沉积Cu/Sn/Zn金属前驱体叠层结合硫化技术在玻璃衬底上成功制备了Cu2ZnSnS4薄膜。X-射线衍射分析表明,通过优化制备条件可以获得单一黝锡矿结构且具有(221)择优取向的Cu2ZnSnS4薄膜。霍尔效应和紫外可见透过谱测量表明,样品的薄膜电阻、吸收系数和光学带隙分别达到0.073Ω·cm,10^4cm^-1和1.53eV,具有适合作为薄膜太阳电池吸收层应用的可能性。 相似文献
2.
用射频磁控溅射法分别在具有20nmFe衬底的Si(100)和NaCl单晶基片上成功地制备出具有高饱和磁化强度的Fe-N薄膜.用X射线衍射仪、透射电子显微镜和振动样品磁强计研究了氮气分压和基片温度对Fe-N薄膜相结构和磁性的影响.结果表明,当氮气分压为2.66×10-2Pa,基片温度为100~150℃时,最有利于α-″Fe16N2相的形成.在此条件下制备的Fe-N薄膜的饱和磁化强度高达2.735T,超过纯Fe的饱和磁化强度值. 相似文献
3.
ITO透明半导体膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺,在玻璃衬底上成功地镀制了ITO透明半导体膜,其可见光透过率达80%以上,电阻率降到3×10~(-4)(?)cm以下。 相似文献
4.
采用反应直流磁控溅射的方法在室温下,在玻璃基底上成功制备了多晶氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示薄膜是择优生长取向的,在低氮气分压时薄膜择优[111]晶向生长,在高氮气分压条件下薄膜的择优生长取向为[100]、[111];XPS分析表明,在低氮气分压时,薄膜主要由Cu3N和Cu组成;在高氮气分压时,薄膜主要由Cu3N组成,而Cu的含量很少. 相似文献
5.
采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜.通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制,并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的纳米硅.利用XRD对样品进行分析得出纳米硅的平均粒径;对样品测量光致发光谱,其发光峰分别位于361 nm和430 nm,比较发现光致发光的峰位随比分的改变有微小的蓝移.文中对发光机理进行初步讨论. 相似文献
6.
利用射频磁控溅射复合靶技术,通过调节复合靶的百分比制得富硅的氧化硅薄膜,并在不同的温度下退火,制得含纳米硅的氧化硅薄膜.通过Raman谱的测量,计算出800℃退火的薄膜中纳米硅晶粒的平均尺寸为5.6 nm,用X射线衍射测量同样的样品得出其粒径为6.0 nm.在室温下测量光致发光(PL)谱,探测样品的峰位为360 nm,并结合光致发光激发谱(PLE),研究相应的激发与发光中心. 相似文献
7.
不同衬底生长ZnO薄膜的结构与发光特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频磁控溅射方法分别在蓝宝石(Al2O3)(0001)和硅(100)衬底上制备ZnO薄膜.通过X-光衍射测量与分析表明两者都沿C轴方向生长,在Al2O3衬底上的ZnO薄膜结晶质量优于在Si衬底上的薄膜样品.然而,由原子力显微镜观测发现在Al2O3衬底上的薄膜晶粒呈不规则形状,且有孔洞,致密性较差;而在Si衬底上的ZnO薄膜表面呈较规则的三维晶柱,致密性好.光致发光测量表明,不同衬底上生长的ZnO薄膜表现出明显不同的发光行为. 相似文献
8.
溅射法制备的ZnO薄膜的光发射 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有好的(002)择优取向的多晶ZnO薄膜,在514nm处观察到显著的单色绿光发射峰;且随着氧分压的增加,绿光发射峰的强度减弱.经真空中退火该发射峰增强;而在氧气中退火该发射峰强度减弱.该发射峰强度依赖于氧分压的事实表明:514nm绿光发射峰与ZnO薄膜中的氧空位缺密切相关,认为它来自于氧空位缺陷深施主能级上的电子到价带顶上的跃迁. 相似文献
9.
以天然荷叶为衬底,结合真空磁控溅射法沉积银薄膜,制备出了一种高效的表面增强拉曼散射(SERS)活性基底.研究发现银/荷叶基底对婴儿配方奶粉中掺杂的三聚氰胺(MA)表现出良好的识别能力,而不需作额外的样品预处理.对掺杂不同浓度三聚氰胺的奶粉溶液进行定量分析,在5~50 mg/L质量浓度范围内获得了较好的线性关系(线性相关系数R20.99).根据3σ准则,检测极限估计为1 mg/L.此外,银/荷叶基底具有良好的均匀性和重复性(相对标准偏差为7.64%和10.54%).该方法对婴儿配方奶粉中三聚氰胺的检测具有简单快速、成本低且无损等优点. 相似文献
10.
掺钨氧化铟(In2O3:W,IWO)薄膜是一种新型的透明导电氧化物(TCO)薄膜,其中W与In之间存在着较高的价态差,使得IWO薄膜与其他TCO薄膜相比,在相同的电阻率条件下具有载流子浓度低、迁移率高和近红外区透射率高的特点.利用直流磁控溅射法制备了IWO薄膜,利用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应及分光光度计表征了薄膜的表面形貌及光电性能.在工作压力1 Pa、氧分压为2.4×10-1Pa的条件下,实验中制备的IWO薄膜最佳电阻率为6.3×10-4Ω.cm,最高载流子迁移率为34 cm2V-1s-1,载流子浓度达到2.9×1020cm-3,可见光平均透射率约为85%,近红外平均透射率大于80%. 相似文献