CO2跨临界循环系统润滑油分析

为保证CO2跨临界循环系统的稳定运行，选择与之相适应的润滑油，在分析摩擦润滑特性的基础上，采用实验数据对比的方法，对POE、PAG、PAO和烷基芳香烃4类合成润滑油在CO2跨临界循环系统中的混合性、流动性、可溶性、黏度、长期稳定性及润滑性等性能进行了分析，结果表明POE类润滑油是CO2跨临界循环系统的一种相对较好的选择。     

钢液定氧测头响应时间和热平衡态

本文分别研究了ＺｒＯ２（ＭｇＯ）固体电解质管头壁厚，参比电极量对定氧测头响应时间的影响，得出了以ＺｒＯ２管头壁厚为０．６０－０．８０ｍｍ，Ｃｒ／Ｃｒ２Ｏ３参比电极加入量为４０－６０ｍｇ所组成的定氧测头响应速度最快，同时采用了“双偶法”对定氧测头在工作过程中的热平衡态进行了研究。结果表明：氧浓差电池中的传热是响应过程的控速步骤，氧电势曲线上峰值的产生是起源于电池中的热平衡态。     

滚齿切削厚度的计算

本文提出了滚齿时基面内切削厚度的计算方法．该方法可作为深入研究滚齿切削过程的理论基础．     

层流中粉尘的火焰传播速度

建立了筛落式粉尘火焰试验装置和火焰信的号光电测量系统。提出确定火焰前沿位置的“最大斜率切线法”和判定火焰传播稳定性的“相对入射能量法”。测定了硅钙粉和煤粉的火焰传播速度和火焰厚度。结果表明数据合理,测量装置和方法可用于速度范围很宽的粉尘火焰传播研究,用修正的田中达夫模型计算的硅钙粉层流火焰传播速度与实验值接近。     

水平管内环状流下两相强制对流蒸发的理论研究

分析了液膜内动力和换热特性,提出了一种环状流下的两相强制对流蒸发的６层速度分布模型,并利用比拟理论进行了分析和计算,预测其换热系数,通过与数据对比,结果表明预测值与实验数据有较好的一致性。     

MATLAB在等厚干涉中的应用

本文用 Matlab 软件定量描绘出了等厚干涉后能量随位置的变化曲线，并准确地模拟出了其干涉条纹的形态，对该 部分内容起到了辅助教学和加深理解的作用。     

润滑添加剂对二甲醚发动机性能影响的试验研究

在直喷式柴油机上进行了不同比例润滑添加剂对二甲醚发动机性能影响的试验研究，结果发现：在二甲醚中加入一定量的润滑添加剂后油泵柱塞表面的磨损情况有较明显改善，发动机可在宽广的转速和负荷范围内稳定运行；随着燃料中润滑添加荆含量的增大，二甲醚发动机的动力性略有提高，但NOx排放逐渐增加，缸内最高爆发压力和压力升高率也都略有升高；当润滑添加剂含量低于一定比例时，二甲醚发动机仍可实现无烟燃烧，但超过一定比例时碳烟产生，且随着润滑添加剂加入比例的增加碳烟排放逐渐增大，试验表明，加入合适比例的润滑添加剂是解决二甲醚燃料黏度低、润滑性差的可行方法之一。     

大气混合层厚度的计算方法及影响因子

本文讲述了大气混合层厚度的定义及它在大气环境保护中的作用。论述了大气混合层厚度的多种计算方法如国标法、干绝热法、罗氏法等，并分析了大气混合层厚度的各种影响因子。其中大气稳定度是决定混合层厚度的最主要因子。     

曲轴轴颈轮廓形状对轴承使用性能的影响

曲轴轴颈母线形状对轴承使用性能影响巨大，从工厂曲轴的实际使用情况出发，列出了几种常见的曲轴轴颈廓形在工作时与之相配轴瓦的实际磨损情况，初步分析了出现这种情况的原因；并运用弹性流体动力润滑理论对曲轴轴颈油膜厚度进行了计算，验证了实际使用时出现的结果．     

HV/CVD Grown Relaxed SiGe Buffer Layers for SiGe HMOSFETs

High-vacuum/chemical-vapor deposition (HV/CVD) system was used to grow relaxed SiGe buffer layers on Si substrates. Several methods were then used to analyze the quality of the SiGe films. X-ray diffraction and Raman spectroscopy showed that the upper layer was almost fully relaxed. Second ion mass spectroscopy showed that the Ge compositions were step-graded. Transmission electron microscopy showed that the misfit dislocations were restrained to the graded SiGe layers. Tests of the electrical properties of tensile-strained Si on relaxed SiGe buffer layers showed that their transconductances were higher than that of Si devices. These results verify the high quality of the relaxed SiGe buffer layer. The calculated critical layer thicknesses of the graded Si1-xGex layer on Si substrate and a Si layer on the relaxed SiGe buffer layer agree well with experimental results.