浅谈铁和碱反应

文献［１～６］报道：“铁同强碱不发生作用”．我们用干燥的铁粉和氢氧化钠进行实验．实验证明：铁能跟强碱反应，反应的化学方程式为     

气相Lys分子体系捕获双电子单重激发态的特性

采用密度泛函理论（DFT）中的B3LYP方法, 在6-311+G(2df)基组水平上, 对气相赖氨酸（Lys）分子和Lys^2-的基态稳定构型进行优化, 并用含时密度泛函理论（TD DFT)方法考察气相Lys分子和带电离子体系单重激发态的特性. 结果表明： Lys分子体系捕获双电子时, 其体系能量有所增加； S1单重激发态与S0基态能量差值变小； 分子体系的荧光波长增加； S7单重激发态跃迁轨道数减少.     

Influence of Microstructure and Sintering Routes on Transport Properties of Apatite Materials for Fuel Cells

1 Results Oxy-apatite materials are thought as zirconia-substitutes in Solid Oxide Fuel Cells due to their fast ionic conduction. However, the well known difficulties related to their densification prevent them from being used as such. This study presents strategies to obtain oxy-apatite dense materials and the influence of elaboration route on transport properties. Particular emphasis is put on the microstructure effect on ion conduction. By the combined use of freeze-drying and conventional or spark p...     

羧基淀粉的制备及其吸附性能的研究

本文研究羧基淀粉的制备条件与吸附重金属离子的容量关系,并研究它的使用条件和性能。     

Zn^2＋在电解还原铕（Ⅲ）过程中的催化行为研究

本文报道微量Zn~(2+)在电解还原铕(Ⅲ)离子过程中的催化作用,研究结果表明:当阴极中含Zn~(2+)时,铕(Ⅲ)离子将缩短到达定量还原的时间,用循环伏安法监控电极过程的结果表明:电极过程是准一级的催化过程。     

OFDM系统中的峰值平均包络功率比上下界的分析

本文主要对OFDM系统中的峰值平均包络功率比(PMEPR)的上下界进行了推导.推导结果表明,PMEPR的上界仅和数据序列的非周期自相关函数有关,这对于迅速去除PMEPR超过给定门限的数据序列是非常有用的.从推导的PMEPR下界看,只有当子载波数N很少时,它才会随N变化较大.针对一个16子载波的BPSK OFDM系统,本文借助于PMEPR的上界还对一种降低PMEPR的选择性映射技术进行了分析,并给出了所有可能信息序列的PMEPR分布.分析结果表明,最大PMEPR约为6.5dB,比最坏情况下的PMEPR减少了5.5dB.     

选择性催化氧化H2S的催化剂研究

在考察了几种单组分氧化物把硫化氢催化氧化为单质硫的基础上，采用共沉淀法合成了3种复合氧化物催化剂A，B，C，并考察了它们的催化活性和选择性．结果表明，在一定条件下，催化剂B的转化率和选择性分别在90％和97％以上，在40h的催化性能稳定性测试中，其转化率和选择性均能保持稳定，具有良好的催化性能．     

实现细粒煤深度脱硫产业化的研究

根据我国高硫煤的赋存特点,提出采用微细介质重介旋流器及细泥选择性絮凝组合工艺实现细粒煤的深度脱硫,无机硫脱除率可大幅度提高,分选下限明显降低,是实现煤炭深度脱硫降灰产业化的有效技术途径.     

半导体单晶硅的离子束蚀刻实验研究

离子束蚀刻是一种有超精细加工能力的微细加工技术,广泛应用于微电子、光子技术、表面科学等领域。硅及其化合物常用来制作大规模集成电路,在其表面蚀刻出具有一定几何布图尺寸的沟槽。其深度、宽度、边壁倾角及槽底形状等直接影响器件的性能。     

MeV Pb离子在非晶Si中的射程离散──离子束混合和增强扩散的影响

１．０ＭｅＶ２０８Ｐｂ离子在非晶Ｓｉ中的投影射程ＲＰ和射程偏差ΔＲＰ作为注量和温度二者的函数用背散射法进行测定．注量的变化范围为５×１０１３～７×１０１４ｃｍ－２．注入是在室温和ｔ＝－１２０℃下完成的．由由实验所确定的投影射程，射程偏差与注量或温度无关，并且分别等于２９５和７２．２ｎｍ．与ＴＲＩＭ８６的计算结果相比较，发现ＲＰ的偏离为１８％，而ΔＲＰ的偏离为３６％．ＲＰ和ΔＲＰ二者与注量及温度的无关性，排除了所观察到的与ＴＲＩＭ的矛盾是由于注入期间辐射增强扩散或离子束混合效应而引起的解释。